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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISF00DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.4W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87313DMS
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1.25V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4290pF@15V
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6816
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1540pF@15V
连续漏极电流：17A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：6.2mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87313DMST
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4290pF@15V
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISF00DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.4W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISF06DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€69.4W
阈值电压：2.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@15V
连续漏极电流：28A€101A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：4.5Ω@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISF06DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€69.4W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@15V
连续漏极电流：28A€101A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：4.5Ω@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISF06DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€69.4W
阈值电压：2.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@15V
连续漏极电流：28A€101A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：4.5Ω@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87313DMS
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1.25V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4290pF@15V
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISF00DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.4W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87313DMST
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4290pF@15V
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISF06DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€69.4W
阈值电压：2.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@15V
连续漏极电流：28A€101A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：4.5Ω@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISF00DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.4W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISF06DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€69.4W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@15V
连续漏极电流：28A€101A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：4.5Ω@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISF06DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€69.4W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@15V
连续漏极电流：28A€101A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：4.5Ω@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87313DMST
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4290pF@15V
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISF00DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.4W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6816
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1540pF@15V
连续漏极电流：17A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：6.2mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6816
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1540pF@15V
连续漏极电流：17A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：6.2mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISF00DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.4W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3006SCA6-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2235pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：5.5mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISF00DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.4W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISF06DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€69.4W
阈值电压：2.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@15V
连续漏极电流：28A€101A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：4.5Ω@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISF06DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€69.4W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@15V
连续漏极电流：28A€101A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：4.5Ω@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6816
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1540pF@15V
连续漏极电流：17A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：6.2mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87313DMST
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4290pF@15V
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87313DMST
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4290pF@15V
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6816
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1540pF@15V
连续漏极电流：17A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：6.2mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISF00DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.4W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87313DMST
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4290pF@15V
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
