品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPC5018SG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€1.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1715pF@15V
连续漏极电流:17A€32A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:5mΩ@17A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0921NDIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1025pF@15V
连续漏极电流:17A€31A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3604S
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1785pF@15V
连续漏极电流:13A€23A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0921NDIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1025pF@15V
连续漏极电流:17A€31A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3660S
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1765pF@15V
连续漏极电流:30A€60A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":181228,"18+":1500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD4C85NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.13W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1960pF@15V
连续漏极电流:15.4A€29.7A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:3mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3660S
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1765pF@15V
连续漏极电流:30A€60A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87355Q5D
工作温度:-55℃~150℃
功率:12W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1860pF@15V
类型:2N沟道(双)非对称型
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0923NDIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1160pF@15V
连续漏极电流:17A€32A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3660S
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1765pF@15V
连续漏极电流:30A€60A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3009LDT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:11.1mΩ@14.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3669S
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1605pF@15V
连续漏极电流:13A€18A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:10mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3009LDT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:11.1mΩ@14.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87334Q3D
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:6mΩ@12A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87335Q3D
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
阈值电压:1.9V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1050pF@15V
类型:2N沟道(双)非对称型
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":25306,"21+":8741,"22+":544805,"MI+":50920}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPC5030SG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€1.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1715pF@15V
连续漏极电流:17A€25A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:5mΩ@17A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87334Q3D
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:6mΩ@12A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0924NDIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1160pF@15V
连续漏极电流:17A€32A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":16964,"22+":36000}
包装规格(MPQ):233psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS1D2N03DSD
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€26W€2.3W€42W
阈值电压:2.5V@320µA€3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:1410pF@15V€4860pF@15V
连续漏极电流:19A€70A€37A€164A
类型:2N沟道(双)非对称型
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPC5018SG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€1.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1715pF@15V
连续漏极电流:17A€32A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:5mΩ@17A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":9000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3606S
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1785pF@15V
连续漏极电流:13A€27A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOE6930
工作温度:-55℃~150℃
功率:24W€75W
阈值电压:2.1V@250µA€1.9V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1075pF@15V€5560pF@15V
连续漏极电流:22A€85A
类型:2N沟道(双)非对称型
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3669S
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1605pF@15V
连续漏极电流:13A€18A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:10mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3669S
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1605pF@15V
连续漏极电流:13A€18A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:10mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AONY36354
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€21W€3.1W€31.5W
阈值电压:2.1V@250µA€1.9V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V€1890pF@15V
连续漏极电流:18.5A€49A€27A€85A
类型:2N沟道(双)非对称型
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0924NDIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1160pF@15V
连续漏极电流:17A€32A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":1831,"24+":30000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3604S
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1785pF@15V
连续漏极电流:13A€23A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87335Q3D
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1050pF@15V
类型:2N沟道(双)非对称型
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":240,"19+":642}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3669S
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1605pF@15V
连续漏极电流:13A€18A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:10mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOE6930
工作温度:-55℃~150℃
功率:24W€75W
阈值电压:2.1V@250µA€1.9V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1075pF@15V€5560pF@15V
连续漏极电流:22A€85A
类型:2N沟道(双)非对称型
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: