品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM5NC50CZ C0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:586pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.38Ω@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM5NC50CZ C0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:586pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.38Ω@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM045NA03CR RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1194pF@15V
连续漏极电流:108A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM5NC50CZ C0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:586pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.38Ω@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):TSM5NC50CZ C0G
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功率:89W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:586pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.38Ω@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):TSM045NA03CR RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1194pF@15V
连续漏极电流:108A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):TSM5NC50CZ C0G
漏源电压:500V
阈值电压:4.5V@250µA
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:5A
功率:89W
类型:N沟道
导通电阻:1.38Ω@2.5A,10V
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:586pF@50V
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):TSM045NA03CR RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1194pF@15V
连续漏极电流:108A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: