品牌:GOOD-ARK
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GSFW02009
工作温度:-55℃~150℃
功率:690mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:58pF@10V
连续漏极电流:850mA
类型:P沟道
导通电阻:640mΩ@550mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":6000,"15+":105000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMG370XN,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:690mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.65nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:37pF@25V
连续漏极电流:960mA
类型:N沟道
导通电阻:440mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4003NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:690mW
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:1.15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21pF@5V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4003NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:690mW
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:1.15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21pF@5V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4003NT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:690mW
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:1.15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21pF@5V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GOOD-ARK
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GSFW02009
工作温度:-55℃~150℃
功率:690mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:58pF@10V
连续漏极电流:850mA
类型:P沟道
导通电阻:640mΩ@550mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1019UFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:690mW
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:50.6nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2425pF@10V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@9.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2039UFDE4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:690mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:28.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2530pF@15V
连续漏极电流:7.3A
类型:P沟道
导通电阻:26mΩ@6.4A,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC8602
工作温度:-55℃~150℃
功率:690mW
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:70pF@50V
连续漏极电流:1.2A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:350mΩ@1.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2039UFDE4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:690mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2530pF@15V
连续漏极电流:7.3A
类型:P沟道
导通电阻:26mΩ@6.4A,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4003NT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:690mW
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21pF@5V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVR4003NT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:690mW
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21pF@5V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4003NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:690mW
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:1.15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21pF@5V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4003NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:690mW
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:1.15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21pF@5V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC8602
工作温度:-55℃~150℃
功率:690mW
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:70pF@50V
连续漏极电流:1.2A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:350mΩ@1.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4003NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:690mW
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21pF@5V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4003NT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:690mW
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21pF@5V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4003NT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:690mW
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21pF@5V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GOOD-ARK
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GSFW02009
工作温度:-55℃~150℃
功率:690mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:58pF@10V
连续漏极电流:850mA
类型:P沟道
导通电阻:640mΩ@550mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2039UFDE4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:690mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2530pF@15V
连续漏极电流:7.3A
类型:P沟道
导通电阻:26mΩ@6.4A,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC8602
工作温度:-55℃~150℃
功率:690mW
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:70pF@50V
连续漏极电流:1.2A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:350mΩ@1.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4003NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:690mW
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:1.15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21pF@5V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC8602
工作温度:-55℃~150℃
功率:690mW
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:70pF@50V
连续漏极电流:1.2A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:350mΩ@1.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4003NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:690mW
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:1.15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21pF@5V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVR4003NT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:690mW
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21pF@5V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC8602
工作温度:-55℃~150℃
功率:690mW
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:70pF@50V
连续漏极电流:1.2A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:350mΩ@1.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC8602
工作温度:-55℃~150℃
功率:690mW
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:70pF@50V
连续漏极电流:1.2A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:350mΩ@1.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4003NT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:690mW
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:1.15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21pF@5V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4003NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:690mW
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21pF@5V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GOOD-ARK
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GSFW02009
工作温度:-55℃~150℃
功率:690mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:58pF@10V
连续漏极电流:850mA
类型:P沟道
导通电阻:640mΩ@550mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: