采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150NB04LDCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€40W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：966pF@20V
连续漏极电流：8A€37A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150NB04DCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€40W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1132pF@20V
连续漏极电流：8A€38A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：650}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BFL4007-1E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€40W
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@30V
连续漏极电流：8.7A
类型：N沟道
导通电阻：680mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150NB04LDCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€40W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：966pF@20V
连续漏极电流：8A€37A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150NB04LDCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€40W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：966pF@20V
连续漏极电流：8A€37A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150NB04LDCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€40W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：966pF@20V
连续漏极电流：8A€37A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：2100}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BFL4037-1E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€40W
ECCN：EAR99
栅极电荷：48.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@30V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：430mΩ@8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD25N06A_L2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1173pF@25V
连续漏极电流：5.5A€25A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD25N06A_L2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€40W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1173pF@25V
连续漏极电流：5.5A€25A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150NB04LDCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€40W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：966pF@20V
连续漏极电流：8A€37A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD25N06A_L2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€40W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1173pF@25V
连续漏极电流：5.5A€25A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD25N06A_L2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€40W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1173pF@25V
连续漏极电流：5.5A€25A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150NB04LDCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€40W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：966pF@20V
连续漏极电流：8A€37A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150NB04DCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€40W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1132pF@20V
连续漏极电流：8A€38A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM300NB06DCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€40W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1079pF@30V
连续漏极电流：6A€25A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BFL4037-1E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€40W
栅极电荷：48.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@30V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：430mΩ@8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD25N06A_L2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1173pF@25V
连续漏极电流：5.5A€25A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150NB04LDCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€40W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：966pF@20V
连续漏极电流：8A€37A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150NB04DCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€40W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1132pF@20V
连续漏极电流：8A€38A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：2100}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BFL4037-1E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€40W
ECCN：EAR99
栅极电荷：48.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@30V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：430mΩ@8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD25N06A_L2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1173pF@25V
连续漏极电流：5.5A€25A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD25N06A_L2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1173pF@25V
连续漏极电流：5.5A€25A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD25N06A_L2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1173pF@25V
连续漏极电流：5.5A€25A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD25N06A_L2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1173pF@25V
连续漏极电流：5.5A€25A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD25N06A_L2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1173pF@25V
连续漏极电流：5.5A€25A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：2100}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BFL4037-1E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€40W
ECCN：EAR99
栅极电荷：48.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@30V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：430mΩ@8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD25N06A_L2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1173pF@25V
连续漏极电流：5.5A€25A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：650}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BFL4007-1E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€40W
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@30V
连续漏极电流：8.7A
类型：N沟道
导通电阻：680mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150NB04LDCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€40W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：966pF@20V
连续漏极电流：8A€37A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150NB04DCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€40W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1132pF@20V
连续漏极电流：8A€38A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
