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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4484
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@20V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMC3AMCTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：2.9A€2.1A
类型：N和P沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMC3AMCTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：2.9A€2.1A
类型：N和P沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMC3AMCTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：2.9A€2.1A
类型：N和P沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4484
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@20V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4484
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@20V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMC3AMCTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：2.9A€2.1A
类型：N和P沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMC3AMCTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：2.9A€2.1A
类型：N和P沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4484
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@20V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMC3AMCTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：2.9A€2.1A
类型：N和P沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4484
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@20V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4484
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@20V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMC3AMCTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：2.9A€2.1A
类型：N和P沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMC3AMCTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：2.9A€2.1A
类型：N和P沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMC3AMCTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：2.9A€2.1A
类型：N和P沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3020LFCL-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：393pF@15V
连续漏极电流：7.6A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMC3AMCTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：2.9A€2.1A
类型：N和P沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMC3AMCTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：2.9A€2.1A
类型：N和P沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4484
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@20V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4484
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@20V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMC3AMCTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：2.9A€2.1A
类型：N和P沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMC3AMCTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：2.9A€2.1A
类型：N和P沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4484
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@20V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMC3AMCTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：2.9A€2.1A
类型：N和P沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4484
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@20V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4484
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@20V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMC3AMCTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：2.9A€2.1A
类型：N和P沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4484
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@20V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMC3AMCTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：2.9A€2.1A
类型：N和P沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMC3AMCTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：2.9A€2.1A
类型：N和P沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
