采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4025LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：33.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1643pF@20V
连续漏极电流：6.7A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4025LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：33.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1643pF@20V
连续漏极电流：6.7A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3010LK3Q-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：59.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6234pF@15V
连续漏极电流：17A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD85302LT
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3010LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：59.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6234pF@15V
连续漏极电流：17A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2347DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：705pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6180SK3Q-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：17.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：984.7pF@30V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLMS1902TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@15V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PXP018-30QLJ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：447pF@15V
连续漏极电流：7.5A€19.2A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD22206W
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：1.05V@250µA
栅极电荷：14.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2275pF@4V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：5.7mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6180SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：17.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：984.7pF@30V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD85302L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD85302L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLMS1503TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@25V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON5820
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1510pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：9.5mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD85302LT
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3010LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：59.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6234pF@15V
连续漏极电流：17A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：8-SOIC
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4485
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@20V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3050LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@15V
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD22204W
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：24.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@4V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：9.9mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3050LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@15V
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD85302L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLMS1503TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@25V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB20XPEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2945pF@10V
连续漏极电流：7.2A
类型：P沟道
导通电阻：23.5mΩ@7.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3010LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：59.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6234pF@15V
连续漏极电流：17A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2347DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：705pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2347DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：705pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4025LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：33.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1643pF@20V
连续漏极电流：6.7A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSD21311C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：42mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
