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    功率: 1.7W
    漏源电压: 30V
    当前匹配商品:300+
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    DIODES Mosfet场效应管 DMP3010LK3Q-13 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3010LK3Q-13 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3010LK3Q-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:59.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6234pF@15V

    连续漏极电流:17A

    类型:P沟道

    导通电阻:8mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3010LK3-13 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3010LK3-13 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3010LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:59.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6234pF@15V

    连续漏极电流:17A

    类型:P沟道

    导通电阻:8mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2347DS-T1-GE3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2347DS-T1-GE3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2347DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:705pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:42mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PXP018-30QLJ 起订4个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PXP018-30QLJ 起订4个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PXP018-30QLJ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:447pF@15V

    连续漏极电流:7.5A€19.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLMS1503TRPBF 起订9个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLMS1503TRPBF 起订9个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLMS1503TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:9.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@25V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3010LK3-13 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3010LK3-13 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3010LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:59.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6234pF@15V

    连续漏极电流:17A

    类型:P沟道

    导通电阻:8mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 8-SOIC 起订3000个装
    AOS Mosfet场效应管 8-SOIC 起订3000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):8-SOIC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@15V

    连续漏极电流:7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:20mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3050LSS-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3050LSS-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3050LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:10.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@15V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:45mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3050LSS-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3050LSS-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3050LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:10.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@15V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:45mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLMS1503TRPBF 起订8个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLMS1503TRPBF 起订8个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLMS1503TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:9.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@25V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3010LK3-13 起订10000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3010LK3-13 起订10000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3010LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:59.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6234pF@15V

    连续漏极电流:17A

    类型:P沟道

    导通电阻:8mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2347DS-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2347DS-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2347DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:705pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:42mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2347DS-T1-GE3 起订200个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2347DS-T1-GE3 起订200个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2347DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:705pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:42mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOSD21311C 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AOSD21311C 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSD21311C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:720pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:42mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2347DS-T1-GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2347DS-T1-GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2347DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:705pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:42mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4413LSS-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4413LSS-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG4413LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:46nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4965pF@15V

    连续漏极电流:10.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.5mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4413LSS-13 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4413LSS-13 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG4413LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:46nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4965pF@15V

    连续漏极电流:10.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.5mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3010LK3-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3010LK3-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3010LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:59.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6234pF@15V

    连续漏极电流:17A

    类型:P沟道

    导通电阻:8mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLMS1503TRPBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLMS1503TRPBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLMS1503TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@25V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PXP018-30QLJ 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PXP018-30QLJ 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PXP018-30QLJ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:10.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:447pF@15V

    连续漏极电流:7.5A€19.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3010LK3-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3010LK3-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3010LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:59.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6234pF@15V

    连续漏极电流:17A

    类型:P沟道

    导通电阻:8mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2347DS-T1-GE3 起订75000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2347DS-T1-GE3 起订75000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2347DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:705pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:42mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3010LK3-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3010LK3-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3010LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:59.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6234pF@15V

    连续漏极电流:17A

    类型:P沟道

    导通电阻:8mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4862 起订8个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4862 起订8个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4862

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:50mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2347DS-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2347DS-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2347DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:705pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:42mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2347DS-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2347DS-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2347DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:705pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:42mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2347DS-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2347DS-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2347DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:705pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:42mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IRLMS1503TRPBF 起订21000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLMS1503TRPBF 起订21000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLMS1503TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@25V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2347DS-T1-GE3 起订31个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2347DS-T1-GE3 起订31个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2347DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:705pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:42mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMP3050LSS-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3050LSS-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3050LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:10.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@15V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:45mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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