采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRC10DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：43W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1873pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRC10DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：43W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1873pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF099N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：43W
阈值电压：4.5V@3mA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2310pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRC10DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：43W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1873pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRC10DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：43W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1873pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRC10DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：43W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1873pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R360CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：43W
阈值电压：4.5V@140µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：679pF@400V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@2.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R360CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：43W
阈值电压：4.5V@140µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：679pF@400V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@2.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF099N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：43W
阈值电压：4.5V@3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2310pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R360CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：43W
阈值电压：4.5V@140µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：679pF@400V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@2.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRC10DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：43W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1873pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRC10DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：43W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1873pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R360CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：43W
阈值电压：4.5V@140µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：679pF@400V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@2.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF099N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：43W
阈值电压：4.5V@3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2310pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF10T60P
工作温度：-55℃~150℃
功率：43W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1595pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRC10DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：43W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1873pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R360CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：43W
阈值电压：4.5V@140µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：679pF@400V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@2.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF099N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：43W
阈值电压：4.5V@3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2310pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF099N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：43W
阈值电压：4.5V@3mA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2310pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF099N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：43W
阈值电压：4.5V@3mA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2310pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRC10DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：43W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1873pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRC10DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：43W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1873pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF099N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：43W
阈值电压：4.5V@3mA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2310pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRC10DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：43W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1873pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF099N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：43W
阈值电压：4.5V@3mA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2310pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：4000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF19N20C
工作温度：-55℃~150℃
功率：43W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@9.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R360CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：43W
阈值电压：4.5V@140µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：679pF@400V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@2.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF10T60P
工作温度：-55℃~150℃
功率：43W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1595pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R360CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：43W
阈值电压：4.5V@140µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：679pF@400V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@2.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF19N20C
工作温度：-55℃~150℃
功率：43W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@9.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
