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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRC10DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：43W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1873pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRC10DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：43W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1873pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIRC10DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：43W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1873pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIRC10DP-T1-GE3
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功率：43W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1873pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIRC10DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：43W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1873pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPD60R360CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：43W
阈值电压：4.5V@140µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：679pF@400V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@2.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPD60R360CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：43W
阈值电压：4.5V@140µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：679pF@400V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@2.9A，10V
漏源电压：600V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：IPD60R360CFD7ATMA1
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功率：43W
阈值电压：4.5V@140µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：679pF@400V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@2.9A，10V
漏源电压：600V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRC10DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：43W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1873pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIRC10DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：43W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
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输入电容：1873pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPD60R360CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：43W
阈值电压：4.5V@140µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：679pF@400V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@2.9A，10V
漏源电压：600V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIRC10DP-T1-GE3
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阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
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输入电容：1873pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：IPD60R360CFD7ATMA1
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功率：43W
阈值电压：4.5V@140µA
栅极电荷：14nC@10V
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输入电容：679pF@400V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@2.9A，10V
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阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
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输入电容：1873pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIRC10DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：43W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
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连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIRC10DP-T1-GE3
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阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
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连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@10A，10V
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规格型号(MPN)：IPD60R360CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：43W
阈值电压：4.5V@140µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：679pF@400V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@2.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：IPD60R360CFD7ATMA1
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阈值电压：4.5V@140µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：679pF@400V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@2.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R360CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：43W
阈值电压：4.5V@140µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：679pF@400V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@2.9A，10V
漏源电压：600V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRC10DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：43W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1873pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRC10DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：43W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1873pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIRC10DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：43W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1873pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRC10DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：43W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1873pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R360CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：43W
阈值电压：4.5V@140µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：679pF@400V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@2.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R360CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：43W
阈值电压：4.5V@140µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：679pF@400V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@2.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R360CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：43W
阈值电压：4.5V@140µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：679pF@400V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@2.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：6763，"23+"：930}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R360CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：43W
阈值电压：4.5V@140µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：679pF@400V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@2.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：6763，"23+"：930}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R360CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：43W
阈值电压：4.5V@140µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：679pF@400V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@2.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R360CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：43W
阈值电压：4.5V@140µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：679pF@400V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@2.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R360CFD7ATMA1
导通电阻：360mΩ@2.9A，10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：14nC@10V
类型：N沟道
输入电容：679pF@400V
漏源电压：600V
阈值电压：4.5V@140µA
功率：43W
ECCN：EAR99
连续漏极电流：7A
包装清单：商品主体 * 1
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