品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H070LSG-TR
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:4.8V@700µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@400V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@16A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H070LSG-TR
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:4.8V@700µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@400V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@16A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H070LSG-TR
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:4.8V@700µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@400V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@16A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H300G4LSG-TR
工作温度:-55℃~150℃
功率:21W
阈值电压:2.6V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.6nC@8V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:760pF@400V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:312mΩ@5A,8V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H300G4LSG-TR
工作温度:-55℃~150℃
功率:21W
阈值电压:2.6V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.6nC@8V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:760pF@400V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:312mΩ@5A,8V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H480G4JSG-TR
工作温度:-55℃~150℃
功率:13.2W
阈值电压:2.8V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@400V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:560mΩ@3.4A,8V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H015G5WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:266W
阈值电压:4.8V@2mA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5218pF@400V
连续漏极电流:93A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@60A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H480G4JSG-TR
工作温度:-55℃~150℃
功率:13.2W
阈值电压:2.8V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@400V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:560mΩ@3.4A,8V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H300G4LSG-TR
工作温度:-55℃~150℃
功率:21W
阈值电压:2.6V@500µA
栅极电荷:9.6nC@8V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:760pF@400V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:312mΩ@5A,8V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H070LSG-TR
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:4.8V@700µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@400V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@16A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H300G4LSG-TR
工作温度:-55℃~150℃
功率:21W
阈值电压:2.6V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.6nC@8V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:760pF@400V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:312mΩ@5A,8V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H150G4LSG-TR
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:4.8V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:598pF@400V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@8.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H035G4WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4.8V@1mA
栅极电荷:22nC@0V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@400V
连续漏极电流:46.5A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@30A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H150G4LSG-TR
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:4.8V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:598pF@400V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@8.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H150G4LSG-TR
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:4.8V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:598pF@400V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@8.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H035G4WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@0V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@400V
连续漏极电流:46.5A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@30A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H070LSG-TR
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:4.8V@700µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@400V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@16A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H150G4LSG-TR
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:4.8V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:598pF@400V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@8.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H300G4LSG-TR
工作温度:-55℃~150℃
功率:21W
阈值电压:2.6V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.6nC@8V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:760pF@400V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:312mΩ@5A,8V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H480G4JSG-TR
工作温度:-55℃~150℃
功率:13.2W
阈值电压:2.8V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@400V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:560mΩ@3.4A,8V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H015G5WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:266W
阈值电压:4.8V@2mA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5218pF@400V
连续漏极电流:93A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@60A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H150G4LSG
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:4.8V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:598pF@400V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@8.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H015G5WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:266W
阈值电压:4.8V@2mA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5218pF@400V
连续漏极电流:93A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@60A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H150G4LSG
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:4.8V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:598pF@400V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@8.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H035G4WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@0V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@400V
连续漏极电流:46.5A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@30A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH3206PSB
工作温度:-55℃~150℃
功率:81W
阈值电压:2.6V@500µA
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:720pF@480V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@10A,8V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H035G4WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4.8V@1mA
栅极电荷:22nC@0V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@400V
连续漏极电流:46.5A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@30A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H150G4LSG
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:4.8V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:598pF@400V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@8.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H035G4WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@0V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@400V
连续漏极电流:46.5A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@30A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H050WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:119W
阈值电压:4.8V@700µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@400V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@22A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: