品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2058U-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.13W
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:281pF@10V
连续漏极电流:4.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":2750}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSR202NL6327HTSA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@30μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.147nF@10V
连续漏极电流:3.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:21mΩ@3.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G09P02L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:1个P沟道
导通电阻:23mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W€2.2W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:168nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.875nF@10V
连续漏极电流:12.5A€10.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NXV40UNR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW€2.1W
阈值电压:950mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:347pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:50mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2058U-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.13W
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:281pF@10V
连续漏极电流:4.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W€2.2W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:168nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.875nF@10V
连续漏极电流:12.5A€10.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA291P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.4W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
输入电容:1nF@10V
连续漏极电流:6.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:42mΩ@6.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NXV40UNR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW€2.1W
阈值电压:950mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:347pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:50mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2065UQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:808pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA291P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.4W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
输入电容:1nF@10V
连续漏极电流:6.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:42mΩ@6.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G09P02L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:1个P沟道
导通电阻:23mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3411-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:416pF@10V
连续漏极电流:3.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":5656,"MI+":3558}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6576
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.044nF@10V
连续漏极电流:11A
类型:1个P沟道
导通电阻:14mΩ@4.5V,11A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJX8808_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:67pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:2个N沟道
导通电阻:400mΩ@4.5V,500mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":5656,"MI+":3558}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6576
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.044nF@10V
连续漏极电流:11A
类型:1个P沟道
导通电阻:14mΩ@4.5V,11A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W€2.2W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:168nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.875nF@10V
连续漏极电流:12.5A€10.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2110UQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
输入电容:443pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:80mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W€2.2W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:168nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.875nF@10V
连续漏极电流:12.5A€10.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIL2305B-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:740pF@4V
连续漏极电流:5.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@2.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS332P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:195pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:1个P沟道
导通电阻:300mΩ@4.5V,1.1A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA291P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.4W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
输入电容:1nF@10V
连续漏极电流:6.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:42mΩ@6.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE8408_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:67pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:400mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W€2.2W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:168nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.875nF@10V
连续漏极电流:12.5A€10.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2058U-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.13W
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:281pF@10V
连续漏极电流:4.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIL2322A-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.25V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:2个N沟道
导通电阻:30mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2045UQ-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:634pF@10V
连续漏极电流:4.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:45mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2045UQ-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:634pF@10V
连续漏极电流:4.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:45mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJX8808_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:67pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:2个N沟道
导通电阻:400mΩ@4.5V,500mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2310U-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:480mW
阈值电压:950mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:700pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:38pF@10V
连续漏极电流:1.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: