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    当前匹配商品:500+
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    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058U-13 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058U-13 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2058U-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.13W

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:281pF@10V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:35mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSR202NL6327HTSA1 起订2235个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSR202NL6327HTSA1 起订2235个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":2750}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSR202NL6327HTSA1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@30μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.147nF@10V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:21mΩ@3.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G09P02L 起订4个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G09P02L 起订4个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G09P02L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@10V

    连续漏极电流:9A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:23mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423ADQ-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423ADQ-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W€2.2W

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:168nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5.875nF@10V

    连续漏极电流:12.5A€10.3A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NXV40UNR 起订21000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NXV40UNR 起订21000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NXV40UNR

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:340mW€2.1W

    阈值电压:950mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:347pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:50mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058U-13 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058U-13 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2058U-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.13W

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:281pF@10V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:35mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423ADQ-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423ADQ-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W€2.2W

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:168nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5.875nF@10V

    连续漏极电流:12.5A€10.3A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA291P 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA291P 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA291P

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    输入电容:1nF@10V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:42mΩ@6.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NXV40UNR 起订13个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NXV40UNR 起订13个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NXV40UNR

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:340mW€2.1W

    阈值电压:950mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:347pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:50mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2065UQ-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2065UQ-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2065UQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:900mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:808pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA291P 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA291P 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA291P

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    输入电容:1nF@10V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:42mΩ@6.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    谷峰 Mosfet场效应管 G09P02L 起订1000个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G09P02L 起订1000个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G09P02L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@10V

    连续漏极电流:9A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:23mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3411-AU_R1_000A1 起订9000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3411-AU_R1_000A1 起订9000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3411-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:416pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6576 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6576 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":5656,"MI+":3558}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6576

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4.044nF@10V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:14mΩ@4.5V,11A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJX8808_R1_00001 起订10个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJX8808_R1_00001 起订10个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJX8808_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:900mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:67pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:400mΩ@4.5V,500mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6576 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6576 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":5656,"MI+":3558}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6576

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4.044nF@10V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:14mΩ@4.5V,11A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423ADQ-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423ADQ-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W€2.2W

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:168nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5.875nF@10V

    连续漏极电流:12.5A€10.3A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2110UQ-7 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2110UQ-7 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2110UQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    输入电容:443pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:80mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423ADQ-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423ADQ-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W€2.2W

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:168nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5.875nF@10V

    连续漏极电流:12.5A€10.3A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SIL2305B-TP 起订1000个装
    MCC Mosfet场效应管 SIL2305B-TP 起订1000个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIL2305B-TP

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W

    阈值电压:900mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:740pF@4V

    连续漏极电流:5.4A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:60mΩ@2.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDS332P 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS332P 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS332P

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@10V

    连续漏极电流:1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:300mΩ@4.5V,1.1A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA291P 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA291P 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA291P

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    输入电容:1nF@10V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:42mΩ@6.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJE8408_R1_00001 起订8000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJE8408_R1_00001 起订8000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJE8408_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:900mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:67pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:400mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423ADQ-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423ADQ-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W€2.2W

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:168nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5.875nF@10V

    连续漏极电流:12.5A€10.3A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058U-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058U-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2058U-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.13W

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:281pF@10V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:35mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SIL2322A-TP 起订100个装
    MCC Mosfet场效应管 SIL2322A-TP 起订100个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIL2322A-TP

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.25V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:30mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2045UQ-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2045UQ-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2045UQ-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:634pF@10V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:45mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2045UQ-13 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2045UQ-13 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2045UQ-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:634pF@10V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:45mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJX8808_R1_00001 起订2000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJX8808_R1_00001 起订2000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJX8808_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:900mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:67pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:400mΩ@4.5V,500mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2310U-7 起订25个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2310U-7 起订25个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2310U-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:480mW

    阈值电压:950mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:700pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:38pF@10V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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