品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ036NE2LSATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:37W€2.1W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.2nF@12V
连续漏极电流:40A€16A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":1123,"21+":9900}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ036NE2LSATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:37W€2.1W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.2nF@12V
连续漏极电流:40A€16A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":12091,"23+":3390,"MI+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ036NE2LSATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:37W€2.1W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.2nF@12V
连续漏极电流:40A€16A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":1123,"21+":9900}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ036NE2LSATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:37W€2.1W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.2nF@12V
连续漏极电流:40A€16A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":12091,"23+":3390,"MI+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ036NE2LSATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:37W€2.1W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.2nF@12V
连续漏极电流:40A€16A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFML8244TRPBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.35V@10μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@10V
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:24mΩ@10V,5.8A
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":4898}
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ISZ0501NLSATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:1.2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.3nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:40A
类型:MOSFET
导通电阻:3.1mΩ
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":4898}
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ISZ0501NLSATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:1.2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.3nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:40A
类型:MOSFET
导通电阻:3.1mΩ
漏源电压:25V
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库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":4898}
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ISZ0501NLSATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:1.2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.3nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:40A
类型:MOSFET
导通电阻:3.1mΩ
漏源电压:25V
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库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ036NE2LSATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:37W€2.1W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.2nF@12V
连续漏极电流:40A€16A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":12091,"23+":3390,"MI+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ036NE2LSATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:37W€2.1W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.2nF@12V
连续漏极电流:40A€16A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFML8244TRPBF
连续漏极电流:5.8A
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
栅极电荷:5.4nC@10V
导通电阻:24mΩ@10V,5.8A
漏源电压:25V
工作温度:-55℃~+150℃
ECCN:EAR99
输入电容:430pF@10V
阈值电压:2.35V@10μA
功率:1.25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":4000}
规格型号(MPN):IRFH4253DTRPBF
包装方式:卷带(TR)
功率:31W€50W
漏源电压:25V
类型:2个N沟道
连续漏极电流:64A€145A
导通电阻:3.2mΩ@30A,10V
工作温度:-55℃~+150℃
栅极电荷:15nC@4.5V
ECCN:EAR99
输入电容:1.314nF@13V
阈值电压:2.1V@35μA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":12091,"23+":3390,"MI+":5000}
规格型号(MPN):BSZ036NE2LSATMA1
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.2nF@12V
类型:1个N沟道
漏源电压:25V
功率:37W€2.1W
工作温度:-55℃~+150℃
栅极电荷:16nC@10V
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:40A€16A
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: