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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SVTQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SVTQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SVTQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SVTQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A09GQTA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.2nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：7.5A
类型：MOSFET
导通电阻：40mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A09GQTA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.2nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：7.5A
类型：MOSFET
导通电阻：40mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A09GQTA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.2nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：7.5A
类型：MOSFET
导通电阻：40mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT69M5LH3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.3W€96W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.406nF@30V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6012LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：11W€900mW
阈值电压：2.3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@30V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SVTQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6012LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：11W€900mW
阈值电压：2.3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@30V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SVTQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@10V
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输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6012LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：11W€900mW
阈值电压：2.3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.6nC@10V
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连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SVTQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SVTQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A09GQTA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.2nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：7.5A
类型：MOSFET
导通电阻：40mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A09GQTA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.2nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：7.5A
类型：MOSFET
导通电阻：40mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A09GQTA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.2nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：7.5A
类型：MOSFET
导通电阻：40mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SVTQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：1000psc
规格型号(MPN)：ZXMN6A09GQTA
阈值电压：3V
栅极电荷：24.2nC
包装方式：Reel
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~+150℃
ECCN：EAR99
导通电阻：40mΩ
功率：2W
类型：MOSFET
连续漏极电流：7.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT69M5LH3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.3W€96W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.406nF@30V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SVTQ-7
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：7.3A
漏源电压：60V
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：17.2nC@10V
功率：1.8W
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工作温度：-55℃~+150℃
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SVTQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6012LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：11W€900mW
阈值电压：2.3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@30V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6012LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：11W€900mW
阈值电压：2.3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@30V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT69M5LH3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.3W€96W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：28.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.406nF@30V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6012LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：11W€900mW
阈值电压：2.3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@30V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SVTQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A09GQTA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.2nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：7.5A
类型：MOSFET
导通电阻：40mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6012LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：11W€900mW
阈值电压：2.3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@30V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
