销售单位：个

规格型号(MPN)：SN7002IXTSA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：1.8V@26μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：900pC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：32pF@30V

连续漏极电流：200mA

类型：1个N沟道

导通电阻：5Ω@500mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SN7002IXTSA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：1.8V@26μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：900pC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：32pF@30V

连续漏极电流：200mA

类型：1个N沟道

导通电阻：5Ω@500mA，10V

漏源电压：60V

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销售单位：个

规格型号(MPN)：SN7002IXTSA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：1.8V@26μA

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输入电容：32pF@30V

连续漏极电流：200mA

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导通电阻：5Ω@500mA，10V

漏源电压：60V

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销售单位：个

规格型号(MPN)：SN7002IXTSA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：1.8V@26μA

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栅极电荷：900pC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：32pF@30V

连续漏极电流：200mA

类型：1个N沟道

导通电阻：5Ω@500mA，10V

漏源电压：60V

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包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ0704LSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：1.7V

ECCN：EAR99

栅极电荷：6.9nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：11.3mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISP25DP06LMSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：5W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13.9nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：1.9A

类型：MOSFET

导通电阻：250mΩ

漏源电压：60V

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销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ042N06NSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

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ECCN：EAR99

栅极电荷：27nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：2nF@30V

连续漏极电流：40A€17A

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导通电阻：4.2mΩ@20A，10V

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销售单位：个

规格型号(MPN)：ISP25DP06LMSATMA1

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销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ0704LSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：1.7V

ECCN：EAR99

栅极电荷：6.9nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：11.3mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SN7002IXTSA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：1.8V@26μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：900pC@10V

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输入电容：32pF@30V

连续漏极电流：200mA

类型：1个N沟道

导通电阻：5Ω@500mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SN7002IXTSA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：1.8V@26μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：900pC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：32pF@30V

连续漏极电流：200mA

类型：1个N沟道

导通电阻：5Ω@500mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SN7002IXTSA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：1.8V@26μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：900pC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：32pF@30V

连续漏极电流：200mA

类型：1个N沟道

导通电阻：5Ω@500mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SN7002IXTSA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：1.8V@26μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：900pC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：32pF@30V

连续漏极电流：200mA

类型：1个N沟道

导通电阻：5Ω@500mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SN7002IXTSA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：1.8V@26μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：900pC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：32pF@30V

连续漏极电流：200mA

类型：1个N沟道

导通电阻：5Ω@500mA，10V

漏源电压：60V

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规格型号(MPN)：BSZ0704LSATMA1

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栅极电荷：6.9nC

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连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

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销售单位：个

规格型号(MPN)：ISP25DP06LMSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：5W

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ECCN：EAR99

栅极电荷：13.9nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：1.9A

类型：MOSFET

导通电阻：250mΩ

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包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISP25DP06LMSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：5W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13.9nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：1.9A

类型：MOSFET

导通电阻：250mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISP25DP06LMSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：5W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13.9nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：1.9A

类型：MOSFET

导通电阻：250mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SN7002IXTSA1

包装方式：卷带（TR）

类型：1个N沟道

导通电阻：5Ω@500mA，10V

功率：360mW

阈值电压：1.8V@26μA

漏源电压：60V

连续漏极电流：200mA

栅极电荷：900pC@10V

工作温度：-55℃~+150℃

输入电容：32pF@30V

ECCN：EAR99

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SN7002IXTSA1

包装方式：卷带（TR）

类型：1个N沟道

导通电阻：5Ω@500mA，10V

功率：360mW

阈值电压：1.8V@26μA

漏源电压：60V

连续漏极电流：200mA

栅极电荷：900pC@10V

工作温度：-55℃~+150℃

输入电容：32pF@30V

ECCN：EAR99

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：3000psc

规格型号(MPN)：ISP25DP06LMSATMA1

连续漏极电流：1.9A

包装方式：Reel

功率：5W

阈值电压：2V

漏源电压：60V

栅极电荷：13.9nC

工作温度：-55℃~+150℃

导通电阻：250mΩ

ECCN：EAR99

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SN7002IXTSA1

包装方式：卷带（TR）

类型：1个N沟道

导通电阻：5Ω@500mA，10V

功率：360mW

阈值电压：1.8V@26μA

漏源电压：60V

连续漏极电流：200mA

栅极电荷：900pC@10V

工作温度：-55℃~+150℃

输入电容：32pF@30V

ECCN：EAR99

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：20}

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ042N06NSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.1W€69W

阈值电压：2.8V@36μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：27nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：2nF@30V

连续漏极电流：40A€17A

类型：1个N沟道

导通电阻：4.2mΩ@20A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：20}

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ042N06NSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.1W€69W

阈值电压：2.8V@36μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：27nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：2nF@30V

连续漏极电流：40A€17A

类型：1个N沟道

导通电阻：4.2mΩ@20A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SN7002IXTSA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：1.8V@26μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：900pC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：32pF@30V

连续漏极电流：200mA

类型：1个N沟道

导通电阻：5Ω@500mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{}

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ0704LSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：1.7V

ECCN：EAR99

栅极电荷：6.9nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：11.3mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SN7002IXTSA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：1.8V@26μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：900pC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：32pF@30V

连续漏极电流：200mA

类型：1个N沟道

导通电阻：5Ω@500mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SN7002IXTSA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：1.8V@26μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：900pC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：32pF@30V

连续漏极电流：200mA

类型：1个N沟道

导通电阻：5Ω@500mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSL606SNH6327XTSA1

包装方式：卷带（TR）

类型：1个N沟道

导通电阻：60mΩ@4.5A，10V

栅极电荷：5.6nC@5V

漏源电压：60V

输入电容：657pF@25V

工作温度：-55℃~+150℃

阈值电压：2.3V@15μA

ECCN：EAR99

连续漏极电流：4.5A

功率：2W

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SN7002IXTSA1

包装方式：卷带（TR）

类型：1个N沟道

导通电阻：5Ω@500mA，10V

功率：360mW

阈值电压：1.8V@26μA

漏源电压：60V

连续漏极电流：200mA

栅极电荷：900pC@10V

工作温度：-55℃~+150℃

输入电容：32pF@30V

ECCN：EAR99

包装清单：商品主体 * 1