采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：11000，"23+"：683}
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86500L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：104W
阈值电压：1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：165nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：25A
类型：MOSFET
导通电阻：2.5mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R090CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：127W
阈值电压：4.5V@630μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.513nF@400V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：90mΩ@12.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H070LDG-TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：96W
阈值电压：4.8V@700μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@400V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：85mΩ@16A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H070LDG-TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：96W
阈值电压：4.8V@700μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@400V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：85mΩ@16A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：11000，"23+"：683}
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86500L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：104W
阈值电压：1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：165nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：25A
类型：MOSFET
导通电阻：2.5mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：11000，"23+"：683}
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86500L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：104W
阈值电压：1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：165nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：25A
类型：MOSFET
导通电阻：2.5mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H070LDG-TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：96W
阈值电压：4.8V@700μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@400V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：85mΩ@16A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISHA12ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：28W
阈值电压：1.1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.5nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：25A
类型：MOSFET
导通电阻：4.3mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISHA12ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：28W
阈值电压：1.1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.5nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：25A
类型：MOSFET
导通电阻：4.3mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISHA12ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：28W
阈值电压：1.1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.5nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：25A
类型：MOSFET
导通电阻：4.3mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：11000，"23+"：683}
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86500L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：104W
阈值电压：1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：165nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：25A
类型：MOSFET
导通电阻：2.5mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：11000，"23+"：683}
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86500L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：104W
阈值电压：1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：165nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：25A
类型：MOSFET
导通电阻：2.5mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H070LDG-TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：96W
阈值电压：4.8V@700μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@400V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：85mΩ@16A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R090CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：127W
阈值电压：4.5V@630μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.513nF@400V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：90mΩ@12.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R090CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：127W
阈值电压：4.5V@630μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.513nF@400V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：90mΩ@12.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R090CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：127W
阈值电压：4.5V@630μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.513nF@400V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：90mΩ@12.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R090CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：127W
阈值电压：4.5V@630μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.513nF@400V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：90mΩ@12.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R090CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：127W
阈值电压：4.5V@630μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.513nF@400V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：90mΩ@12.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISHA12ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：28W
阈值电压：1.1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.5nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：25A
类型：MOSFET
导通电阻：4.3mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC600N25NS3GATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：4V@90μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.35nF@100V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC600N25NS3GATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：4V@90μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.35nF@100V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：650}
包装规格(MPQ)：156psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJJ0621DPP-E0#T2
工作温度：-55℃~+150℃
功率：35W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：1.55nF@10V
连续漏极电流：25A
类型：1个P沟道
导通电阻：56mΩ@12.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H070LDG-TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：96W
阈值电压：4.8V@700μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@400V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：85mΩ@16A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R090CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：127W
阈值电压：4.5V@630μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.513nF@400V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：90mΩ@12.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：3000psc
规格型号(MPN)：SISHA12ADN-T1-GE3
漏源电压：30V
包装方式：Reel
阈值电压：1.1V
导通电阻：4.3mΩ
功率：28W
连续漏极电流：25A
工作温度：-55℃~+150℃
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.5nC
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R090CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：127W
阈值电压：4.5V@630μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.513nF@400V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：90mΩ@12.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB125N60EF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：179W
阈值电压：5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC
包装方式：管件
连续漏极电流：25A
类型：MOSFET
导通电阻：125mΩ
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H070LDG-TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：96W
阈值电压：4.8V@700μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@400V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：85mΩ@16A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISHA12ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：28W
阈值电压：1.1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.5nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：25A
类型：MOSFET
导通电阻：4.3mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISHA12ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：28W
阈值电压：1.1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.5nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：25A
类型：MOSFET
导通电阻：4.3mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
