品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA138K_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":2750}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSR202NL6327HTSA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@30μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.147nF@10V
连续漏极电流:3.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:21mΩ@3.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):15000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PMX300UNEZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:900mV
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:820mA
类型:MOSFET
导通电阻:250mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):15000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PMX300UNEZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:900mV
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:820mA
类型:MOSFET
导通电阻:250mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):15000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PMX300UNEZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:900mV
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:820mA
类型:MOSFET
导通电阻:250mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS332P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:195pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:1个P沟道
导通电阻:300mΩ@4.5V,1.1A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN336P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@10V
连续漏极电流:1.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:200mΩ@4.5V,1.3A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA138K_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):15000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PMX300UNEZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:900mV
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:820mA
类型:MOSFET
导通电阻:250mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA138K_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1200,"21+":1650,"22+":2489,"24+":549}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS352AP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:1个P沟道
导通电阻:300mΩ@10V,1A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):15000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PMX300UNEZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:900mV
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:820mA
类型:MOSFET
导通电阻:250mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA138K_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS332P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:195pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:1个P沟道
导通电阻:300mΩ@4.5V,1.1A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS352AP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:1个P沟道
导通电阻:300mΩ@10V,1A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS332P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:195pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:1个P沟道
导通电阻:300mΩ@4.5V,1.1A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):15000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PMX300UNEZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:900mV
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:820mA
类型:MOSFET
导通电阻:250mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN336P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@10V
连续漏极电流:1.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:200mΩ@4.5V,1.3A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA138K_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA138K_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA138K_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":17446,"24+":19615}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS332P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:195pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:1个P沟道
导通电阻:300mΩ@4.5V,1.1A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3665,"24+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN336P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@10V
连续漏极电流:1.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:200mΩ@4.5V,1.3A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN336P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@10V
连续漏极电流:1.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:200mΩ@4.5V,1.3A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS352AP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:1个P沟道
导通电阻:300mΩ@10V,1A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS332P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:195pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:1个P沟道
导通电阻:300mΩ@4.5V,1.1A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS332P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:195pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:1个P沟道
导通电阻:300mΩ@4.5V,1.1A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS332P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:195pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:1个P沟道
导通电阻:300mΩ@4.5V,1.1A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN336P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@10V
连续漏极电流:1.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:200mΩ@4.5V,1.3A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":27098,"23+":4964,"24+":24985}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN327N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:423pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
导通电阻:70mΩ@4.5V,2A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: