销售单位：个

规格型号(MPN)：NDS332P

工作温度：-55℃~+150℃

功率：500mW

阈值电压：1V@250μA

栅极电荷：5nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：195pF@10V

连续漏极电流：1A

类型：1个P沟道

导通电阻：300mΩ@4.5V，1.1A

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMN3060LW-7

工作温度：-55℃~+150℃

功率：500mW

阈值电压：1.8V@250μA

栅极电荷：5.6nC@4.5V

输入电容：395pF@15V

连续漏极电流：2.6A

类型：1个N沟道

导通电阻：60mΩ@3.1A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PJA138K_R1_00001

工作温度：-55℃~+150℃

功率：500mW

阈值电压：1.5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：1nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：50pF@25V

连续漏极电流：500mA

类型：1个N沟道

导通电阻：1.6Ω@500mA，10V

漏源电压：50V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NDS332P

工作温度：-55℃~+150℃

功率：500mW

阈值电压：1V@250μA

栅极电荷：5nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：195pF@10V

连续漏极电流：1A

类型：1个P沟道

导通电阻：300mΩ@4.5V，1.1A

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDN338P

工作温度：-55℃~+150℃

功率：500mW

阈值电压：1.5V@250μA

栅极电荷：6.2nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：451pF@10V

连续漏极电流：1.6A

类型：1个P沟道

导通电阻：115mΩ@4.5V，1.6A

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NDS352AP

工作温度：-55℃~+150℃

功率：500mW

阈值电压：2.5V@250μA

栅极电荷：3nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：135pF@15V

连续漏极电流：900mA

类型：1个P沟道

导通电阻：300mΩ@10V，1A

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSL316C H6327

工作温度：-55℃~+150℃

功率：500mW

阈值电压：1.6V€1.5V

栅极电荷：600pC€2.4nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：1.4A€1.5A

类型：MOSFET

导通电阻：160mΩ€150mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS123N H6327

工作温度：-55℃~+150℃

功率：500mW

阈值电压：1.4V

栅极电荷：600pC

包装方式：Reel

连续漏极电流：190mA

类型：MOSFET

导通电阻：2.4Ω

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：9000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSD235N H6327

工作温度：-55℃~+150℃

功率：500mW

阈值电压：700mV

栅极电荷：320pC

包装方式：Reel

连续漏极电流：950mA

类型：MOSFET

导通电阻：266mΩ€415mΩ

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMN62D4LFB-7B

工作温度：-55℃~+150℃

功率：500mW

阈值电压：2.5V@250μA

栅极电荷：1.1nC@10V

输入电容：40pF@30V

连续漏极电流：407mA

类型：1个N沟道

导通电阻：2Ω

漏源电压：65V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：2750}

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSR202NL6327HTSA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：500mW

阈值电压：1.2V@30μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：8.8nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1.147nF@10V

连续漏极电流：3.8A

类型：1个N沟道

导通电阻：21mΩ@3.8A，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS214NH6327XTSA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：500mW

阈值电压：1.2V@3.7μA

栅极电荷：800pC@5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：143pF@10V

连续漏极电流：1.5A

类型：1个N沟道

导通电阻：140mΩ@1.5A，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDN327N

工作温度：-55℃~+150℃

功率：500mW

阈值电压：1.5V@250μA

栅极电荷：6.3nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：423pF@10V

连续漏极电流：2A

类型：1个N沟道

导通电阻：70mΩ@4.5V，2A

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMN3071LFR4-7

工作温度：-55℃~+150℃

功率：500mW

阈值电压：2.5V@250μA

栅极电荷：4.5nC@10V

输入电容：190pF@15V

连续漏极电流：3.4A

类型：1个N沟道

导通电阻：65mΩ@3.2A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDN336P

工作温度：-55℃~+150℃

功率：500mW

阈值电压：1.5V@250μA

栅极电荷：5nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：330pF@10V

连续漏极电流：1.3A

类型：1个P沟道

导通电阻：200mΩ@4.5V，1.3A

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：15000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：PMX300UNEZ

工作温度：-55℃~+150℃

功率：500mW

阈值电压：900mV

ECCN：EAR99

栅极电荷：1.4nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：820mA

类型：MOSFET

导通电阻：250mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMN3060LW-7

工作温度：-55℃~+150℃

功率：500mW

阈值电压：1.8V@250μA

栅极电荷：5.6nC@4.5V

输入电容：395pF@15V

连续漏极电流：2.6A

类型：1个N沟道

导通电阻：60mΩ@3.1A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDN336P

工作温度：-55℃~+150℃

功率：500mW

阈值电压：1.5V@250μA

栅极电荷：5nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：330pF@10V

连续漏极电流：1.3A

类型：1个P沟道

导通电阻：200mΩ@4.5V，1.3A

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS806NH6327XTSA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：500mW

阈值电压：750mV@11μA

栅极电荷：1.7nC@2.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：529pF@10V

连续漏极电流：2.3A

类型：1个N沟道

导通电阻：57mΩ@2.3A，2.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDN338P

工作温度：-55℃~+150℃

功率：500mW

阈值电压：1.5V@250μA

栅极电荷：6.2nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：451pF@10V

连续漏极电流：1.6A

类型：1个P沟道

导通电阻：115mΩ@4.5V，1.6A

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMP2900UV-7

工作温度：-55℃~+150℃

功率：500mW

阈值电压：1V@250μA

栅极电荷：700pC@4.5V

输入电容：49pF@16V

连续漏极电流：850mA

类型：2个P沟道

导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDN338P

工作温度：-55℃~+150℃

功率：500mW

阈值电压：1.5V@250μA

栅极电荷：6.2nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：451pF@10V

连续漏极电流：1.6A

类型：1个P沟道

导通电阻：115mΩ@4.5V，1.6A

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMN62D4LFB-7B

工作温度：-55℃~+150℃

功率：500mW

阈值电压：2.5V@250μA

栅极电荷：1.1nC@10V

输入电容：40pF@30V

连续漏极电流：407mA

类型：1个N沟道

导通电阻：2Ω

漏源电压：65V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：15000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：PMX300UNEZ

工作温度：-55℃~+150℃

功率：500mW

阈值电压：900mV

ECCN：EAR99

栅极电荷：1.4nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：820mA

类型：MOSFET

导通电阻：250mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDN327N

工作温度：-55℃~+150℃

功率：500mW

阈值电压：1.5V@250μA

栅极电荷：6.3nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：423pF@10V

连续漏极电流：2A

类型：1个N沟道

导通电阻：70mΩ@4.5V，2A

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS806NH6327XTSA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：500mW

阈值电压：750mV@11μA

栅极电荷：1.7nC@2.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：529pF@10V

连续漏极电流：2.3A

类型：1个N沟道

导通电阻：57mΩ@2.3A，2.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDN338P

工作温度：-55℃~+150℃

功率：500mW

阈值电压：1.5V@250μA

栅极电荷：6.2nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：451pF@10V

连续漏极电流：1.6A

类型：1个P沟道

导通电阻：115mΩ@4.5V，1.6A

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS806NH6327XTSA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：500mW

阈值电压：750mV@11μA

栅极电荷：1.7nC@2.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：529pF@10V

连续漏极电流：2.3A

类型：1个N沟道

导通电阻：57mΩ@2.3A，2.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS806NH6327XTSA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：500mW

阈值电压：750mV@11μA

栅极电荷：1.7nC@2.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：529pF@10V

连续漏极电流：2.3A

类型：1个N沟道

导通电阻：57mΩ@2.3A，2.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS806NH6327XTSA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：500mW

阈值电压：750mV@11μA

栅极电荷：1.7nC@2.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：529pF@10V

连续漏极电流：2.3A

类型：1个N沟道

导通电阻：57mΩ@2.3A，2.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1