采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
销售单位：个
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：4A
功率：40W
集电集截止电流(Icbo)：500μA
工作温度：-55℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@1.5A，30mA
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@3V，1.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FZT603TA
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：2A
功率：2W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
特征频率：150MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.13V@20mA，2A
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@500mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：300mA
功率：225mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：125MHz
工作温度：-55℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100mA，100μA
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@5V，100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集射极击穿电压(Vceo)：40V
集电极电流(Ic)：500mA
功率：225mW
集电集截止电流(Icbo)：1μA
工作温度：-55℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@500mA，500μA
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@5V，100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：SMMBTA13LT1
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：300mA
功率：225mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：125MHz
工作温度：-55℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100μA，100mA
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"07+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SMMBTA13LT1
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：300mA
功率：225mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：125MHz
工作温度：-55℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100μA，100mA
ECCN：EAR99
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：300mA
功率：225mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：125MHz
工作温度：-55℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100mA，100μA
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@5V，100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：900mA
功率：625mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：140MHz
工作温度：-55℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：960mV@1A，5mA
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@5V，100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集射极击穿电压(Vceo)：40V
集电极电流(Ic)：500mA
功率：225mW
集电集截止电流(Icbo)：1μA
工作温度：-55℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@500mA，500μA
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@5V，100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FZT603TA
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：2A
功率：2W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
特征频率：150MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.13V@20mA，2A
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@500mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
销售单位：个
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：4A
功率：40W
集电集截止电流(Icbo)：500μA
工作温度：-55℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@1.5A，30mA
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@3V，1.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：300mA
功率：225mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：125MHz
工作温度：-55℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100mA，100μA
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@5V，100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
销售单位：个
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：4A
功率：40W
集电集截止电流(Icbo)：500μA
工作温度：-55℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@1.5A，30mA
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@3V，1.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：900mA
功率：806mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：140MHz
工作温度：-55℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：960mV@1A，5mA
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@5V，100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FZT603TA
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：2A
功率：2W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
特征频率：150MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.13V@20mA，2A
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@500mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
销售单位：个
集电集截止电流(Icbo)：1μA
晶体管类型：NPN
功率：225mW
集电极电流(Ic)：500mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@5V，100mA
集射极击穿电压(Vceo)：40V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@500mA，500μA
工作温度：-55℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：900mA
功率：625mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：140MHz
工作温度：-55℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：960mV@1A，5mA
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@5V，100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：达林顿管
销售单位：个
集电极电流(Ic)：900mA
特征频率：140MHz
功率：625mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：960mV@1A，5mA
晶体管类型：NPN
集射极击穿电压(Vceo)：100V
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@5V，100mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
工作温度：-55℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：500mA
功率：1W
集电集截止电流(Icbo)：10μA
工作温度：-55℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500mA，500μA
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@10V，150mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集射极击穿电压(Vceo)：40V
集电极电流(Ic)：500mA
功率：225mW
集电集截止电流(Icbo)：1μA
工作温度：-55℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@500mA，500μA
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@5V，100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集射极击穿电压(Vceo)：40V
集电极电流(Ic)：500mA
功率：225mW
集电集截止电流(Icbo)：1μA
工作温度：-55℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@500mA，500μA
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@5V，100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：300mA
功率：225mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：125MHz
工作温度：-55℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100mA，100μA
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@5V，100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集射极击穿电压(Vceo)：40V
集电极电流(Ic)：500mA
功率：225mW
集电集截止电流(Icbo)：1μA
工作温度：-55℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@500mA，500μA
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@5V，100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BD681G
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：4A
功率：40W
集电集截止电流(Icbo)：500μA
工作温度：-55℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@1.5A，30mA
包装方式：散装
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@3V，1.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BCV27
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：1.2A
功率：350mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：220MHz
工作温度：-55℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100mA，100μA
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@5V，100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BCV27
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：1.2A
功率：350mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：220MHz
工作温度：-55℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100mA，100μA
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@5V，100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集射极击穿电压(Vceo)：40V
集电极电流(Ic)：500mA
功率：225mW
集电集截止电流(Icbo)：1μA
工作温度：-55℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@500mA，500μA
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@5V，100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：达林顿管
销售单位：个
功率：1W
集电集截止电流(Icbo)：10μA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@10V，150mA
晶体管类型：NPN
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：500mA
工作温度：-55℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500mA，500μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
销售单位：个
集电极电流(Ic)：1.2A
特征频率：125MHz
功率：1W
晶体管类型：NPN
集射极击穿电压(Vceo)：30V
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@5V，100mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100mA，100μA
工作温度：-55℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
