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    NPN
    集射极击穿电压(Vceo)
    80V
    功率
    1W 2W
    直流增益(hFE@Ic,Vce)
    集电极电流(Ic)
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    工作温度: -55℃~+150℃
    晶体管类型: NPN
    集射极击穿电压(Vceo): 80V
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    DIODES 达林顿管 FZT603TA 起订数4000个
    DIODES 达林顿管 FZT603TA 起订数4000个

    品牌:DIODES

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):FZT603TA

    集射极击穿电压(Vceo):80V

    集电极电流(Ic):2A

    功率:2W

    集电集截止电流(Icbo):10µA

    特征频率:150MHz

    工作温度:55℃~150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.13V@20mA,2A

    包装方式:卷带(TR)

    晶体管类型:NPN

    直流增益(hFE@Ic,Vce):5000@500mA,5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES 达林顿管 FZT603TA 起订数2000个
    DIODES 达林顿管 FZT603TA 起订数2000个

    品牌:DIODES

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):FZT603TA

    集射极击穿电压(Vceo):80V

    集电极电流(Ic):2A

    功率:2W

    集电集截止电流(Icbo):10µA

    特征频率:150MHz

    工作温度:55℃~150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.13V@20mA,2A

    包装方式:卷带(TR)

    晶体管类型:NPN

    直流增益(hFE@Ic,Vce):5000@500mA,5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES 达林顿管 FZT603TA 起订数5000个
    DIODES 达林顿管 FZT603TA 起订数5000个

    品牌:DIODES

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):FZT603TA

    集射极击穿电压(Vceo):80V

    集电极电流(Ic):2A

    功率:2W

    集电集截止电流(Icbo):10µA

    特征频率:150MHz

    工作温度:55℃~150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.13V@20mA,2A

    包装方式:卷带(TR)

    晶体管类型:NPN

    直流增益(hFE@Ic,Vce):5000@500mA,5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES 达林顿管 BST52TA 起订数6000个
    DIODES 达林顿管 BST52TA 起订数6000个

    品牌:DIODES

    分类:达林顿管

    销售单位:

    集射极击穿电压(Vceo):80V

    集电极电流(Ic):500mA

    功率:1W

    集电集截止电流(Icbo):10μA

    工作温度:-55℃~+150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.3V@500mA,500μA

    晶体管类型:NPN

    直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@10V,150mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES 达林顿管 BST52TA 起订数6000个
    DIODES 达林顿管 BST52TA 起订数6000个

    品牌:DIODES

    分类:达林顿管

    销售单位:

    功率:1W

    集电集截止电流(Icbo):10μA

    直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@10V,150mA

    晶体管类型:NPN

    集射极击穿电压(Vceo):80V

    集电极电流(Ic):500mA

    工作温度:-55℃~+150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.3V@500mA,500μA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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