采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86240
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.57nF@75V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：19.8mΩ@7.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86240
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.57nF@75V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：19.8mΩ@7.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86240
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.57nF@75V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：19.8mΩ@7.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86240
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.57nF@75V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：19.8mΩ@7.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86240
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.57nF@75V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：19.8mΩ@7.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPF40N25
工作温度：-55℃~+150℃
功率：310W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：3.7nF@25V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
反向传输电容：2.5pF@25V
导通电阻：65mΩ@10V，20A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPF40N25
工作温度：-55℃~+150℃
功率：310W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：3.7nF@25V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
反向传输电容：2.5pF@25V
导通电阻：65mΩ@10V，20A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86240
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.57nF@75V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：19.8mΩ@7.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86240
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.57nF@75V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：19.8mΩ@7.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86240
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.57nF@75V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：19.8mΩ@7.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPF40N25
工作温度：-55℃~+150℃
功率：310W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：3.7nF@25V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
反向传输电容：2.5pF@25V
导通电阻：65mΩ@10V，20A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD40N25
工作温度：-55℃~+150℃
功率：310W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：3.7nF@25V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
反向传输电容：2.5pF@25V
导通电阻：65mΩ@10V，20A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86240
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.57nF@75V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：19.8mΩ@7.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86240
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.57nF@75V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：19.8mΩ@7.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86240
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.57nF@75V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：19.8mΩ@7.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86240
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：2.57nF@75V
漏源电压：150V
阈值电压：4V@250μA
功率：2.5W€5W
工作温度：-55℃~+150℃
ECCN：EAR99
导通电阻：19.8mΩ@7.5A，10V
连续漏极电流：7.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPF40N25
输入电容：3.7nF@25V
类型：1个N沟道
栅极电荷：40nC@10V
反向传输电容：2.5pF@25V
漏源电压：250V
阈值电压：4V@250μA
功率：310W
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：65mΩ@10V，20A
连续漏极电流：40A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86240
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.57nF@75V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：19.8mΩ@7.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86240
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.57nF@75V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：19.8mΩ@7.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86240
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.57nF@75V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：19.8mΩ@7.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86240
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.57nF@75V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：19.8mΩ@7.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86240
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.57nF@75V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：19.8mΩ@7.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86240
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.57nF@75V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：19.8mΩ@7.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86240
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.57nF@75V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：19.8mΩ@7.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86240
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.57nF@75V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：19.8mΩ@7.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPF40N25
工作温度：-55℃~+150℃
功率：310W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：3.7nF@25V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
反向传输电容：2.5pF@25V
导通电阻：65mΩ@10V，20A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD40N25
输入电容：3.7nF@25V
类型：1个N沟道
栅极电荷：40nC@10V
反向传输电容：2.5pF@25V
漏源电压：250V
阈值电压：4V@250μA
功率：310W
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：65mΩ@10V，20A
连续漏极电流：40A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
