品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFU014PBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:25W€2.5W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:7.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:200mΩ@4.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3590
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.18nF@40V
连续漏极电流:6.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:39mΩ@6.5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":701,"22+":3610,"23+":2632}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86256
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.3W€10W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:73pF@75V
连续漏极电流:1.2A€3A
类型:1个N沟道
反向传输电容:1pF@75V
导通电阻:695mΩ@10V,1.2A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86252
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€89W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:985pF@75V
连续漏极电流:5A€27A
类型:1个N沟道
导通电阻:52mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86244
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:395pF@75V
连续漏极电流:2.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:128mΩ@2.8A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJMF990N65EC_T0_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:22.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:管件
输入电容:306pF@400V
连续漏极电流:4.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:990mΩ@2A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA24N65EF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:39W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.774nF@100V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:156mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"24+":16000,"MI+":1000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP10N20C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:72W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:9.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:360mΩ@10V,4.75A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC86244
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:6nC@10V
输入电容:345pF@75V
连续漏极电流:2.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:144mΩ@2.3A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC5612
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:55mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT5P10TF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:1个P沟道
导通电阻:1.05Ω@10V,500mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT105N10K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:83W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:16nC@10V
输入电容:1.574nF@50V
连续漏极电流:60A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.5mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD20N06TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€38W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@25V
连续漏极电流:16.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:63mΩ@10V,8.4A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF10N20C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:9.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:360mΩ@4.75A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86256
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.3W€10W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:73pF@75V
连续漏极电流:1.2A€3A
类型:1个N沟道
反向传输电容:1pF@75V
导通电阻:695mΩ@10V,1.2A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHFPS37N50A-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:446W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5.579nF@25V
连续漏极电流:36A
类型:1个N沟道
导通电阻:130mΩ@22A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC5612
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:55mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD390N15A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:63W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:18.6nC@10V
输入电容:1.285nF@75V
连续漏极电流:26A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@26A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD35NF06L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:105W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:60nC@10V
输入电容:1.3nF@25V
连续漏极电流:35A
类型:1个N沟道
导通电阻:20mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MCP75N10Y-BP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:205W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.78nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.27nF@50V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86250
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€132W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:33nC@10V
输入电容:2.11nF@75V
连续漏极电流:8A€50A
类型:1个N沟道
导通电阻:22mΩ@10V,8A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS4604DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€33.7W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:22nC@10V
输入电容:960pF@30V
连续漏极电流:14.6A€44.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MCP75N10Y-BP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:205W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.78nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.27nF@50V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT5P10TF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:1个P沟道
导通电阻:1.05Ω@10V,500mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF740ASPBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€125W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.03nF@25V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:550mΩ@6A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCACL110N08Y-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.29nF@40V
连续漏极电流:110A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.9mΩ@55A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFM120ATF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.4W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:22nC@10V
输入电容:480pF@25V
连续漏极电流:2.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:200mΩ@10V,1.15A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS4604DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€33.7W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:22nC@10V
输入电容:960pF@30V
连续漏极电流:14.6A€44.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFM120ATF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.4W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:22nC@10V
输入电容:480pF@25V
连续漏极电流:2.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:200mΩ@10V,1.15A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":874,"22+":13717}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86256
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.3W€10W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:73pF@75V
连续漏极电流:1.2A€3A
类型:1个N沟道
反向传输电容:1pF@75V
导通电阻:695mΩ@10V,1.2A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存: