品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA24N65EF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:39W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.774nF@100V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:156mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF740ASPBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€125W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.03nF@25V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:550mΩ@6A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF740ASPBF
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功率:3.1W€125W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.03nF@25V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:550mΩ@6A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIHA24N65EF-GE3
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功率:39W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.774nF@100V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:156mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):IRF740ASPBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€125W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.03nF@25V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:550mΩ@6A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIHA24N65EF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:39W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.774nF@100V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:156mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):IRF740ASPBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€125W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.03nF@25V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:550mΩ@6A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF740ASPBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€125W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.03nF@25V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:550mΩ@6A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MPF10N65
工作温度:-55℃~+150℃
功率:107W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:37nC@10V
输入电容:1.11nF@25V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
反向传输电容:13pF@25V
导通电阻:950mΩ@10V,4A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIHA24N65EF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:39W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.774nF@100V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:156mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):IRF740ASPBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€125W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.03nF@25V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:550mΩ@6A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):IRF740ASPBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€125W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.03nF@25V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:550mΩ@6A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF740ASPBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€125W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.03nF@25V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:550mΩ@6A,10V
漏源电压:400V
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA24N65EF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:39W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.774nF@100V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:156mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):IRF740ASPBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€125W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.03nF@25V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:550mΩ@6A,10V
漏源电压:400V
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):IRF740ASPBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€125W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.03nF@25V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:550mΩ@6A,10V
漏源电压:400V
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA24N65EF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:39W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.774nF@100V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:156mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF740ASPBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€125W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.03nF@25V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:550mΩ@6A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MPF10N65
工作温度:-55℃~+150℃
功率:107W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:37nC@10V
输入电容:1.11nF@25V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
反向传输电容:13pF@25V
导通电阻:950mΩ@10V,4A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF740ASPBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€125W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.03nF@25V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:550mΩ@6A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MPF10N65
导通电阻:950mΩ@10V,4A
连续漏极电流:10A
功率:107W
类型:1个N沟道
输入电容:1.11nF@25V
漏源电压:650V
阈值电压:4V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
反向传输电容:13pF@25V
栅极电荷:37nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):SIHA24N65EF-GE3
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
漏源电压:650V
阈值电压:4V@250μA
功率:39W
包装方式:管件
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:156mΩ@12A,10V
栅极电荷:122nC@10V
输入电容:2.774nF@100V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT10N70F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:42nC@10V
输入电容:1.4nF@25V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
反向传输电容:10.4pF@25V
导通电阻:1Ω@10V,5A
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT10N65F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:44nC@10V
输入电容:1.57nF@25V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
反向传输电容:18pF@25V
导通电阻:800mΩ@10V,5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT10N70F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:42nC@10V
输入电容:1.4nF@25V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
反向传输电容:10.4pF@25V
导通电阻:1Ω@10V,5A
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT10N70F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:42nC@10V
输入电容:1.4nF@25V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
反向传输电容:10.4pF@25V
导通电阻:1Ω@10V,5A
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT10N65F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:44nC@10V
输入电容:1.57nF@25V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
反向传输电容:18pF@25V
导通电阻:800mΩ@10V,5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT10N65F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:44nC@10V
输入电容:1.57nF@25V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
反向传输电容:18pF@25V
导通电阻:800mΩ@10V,5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT10N65F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:44nC@10V
输入电容:1.57nF@25V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
反向传输电容:18pF@25V
导通电阻:800mΩ@10V,5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT10N70F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:42nC@10V
输入电容:1.4nF@25V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
反向传输电容:10.4pF@25V
导通电阻:1Ω@10V,5A
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
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