品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJW7N06A_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.173nF@25V
连续漏极电流:6.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:34mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:18W€2.3W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:945pF@15V
连续漏极电流:10.5A€16A
类型:1个N沟道
导通电阻:14.3mΩ@10.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJW7N06A_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.173nF@25V
连续漏极电流:6.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:34mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):PJW7N06A_R2_00001
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功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.173nF@25V
连续漏极电流:6.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:34mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
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行业应用:工业,汽车
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功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
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输入电容:1.173nF@25V
连续漏极电流:6.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:34mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
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行业应用:工业,汽车
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输入电容:1.173nF@25V
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导通电阻:34mΩ@6A,10V
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输入电容:945pF@15V
连续漏极电流:10.5A€16A
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导通电阻:14.3mΩ@10.5A,10V
漏源电压:30V
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栅极电荷:20nC@10V
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连续漏极电流:6.6A
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导通电阻:34mΩ@6A,10V
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行业应用:工业,汽车
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功率:3.1W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
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输入电容:1.173nF@25V
连续漏极电流:6.6A
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导通电阻:34mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
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阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:945pF@15V
连续漏极电流:10.5A€16A
类型:1个N沟道
导通电阻:14.3mΩ@10.5A,10V
漏源电压:30V
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销售单位:个
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栅极电荷:20nC@10V
输入电容:945pF@15V
连续漏极电流:10.5A€16A
类型:1个N沟道
导通电阻:14.3mΩ@10.5A,10V
漏源电压:30V
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行业应用:工业,汽车
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功率:3.1W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.173nF@25V
连续漏极电流:6.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:34mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
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品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):PJW7N06A_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.173nF@25V
连续漏极电流:6.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:34mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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工作温度:-55℃~+150℃
功率:18W€2.3W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:945pF@15V
连续漏极电流:10.5A€16A
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导通电阻:14.3mΩ@10.5A,10V
漏源电压:30V
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工作温度:-55℃~+150℃
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阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:945pF@15V
连续漏极电流:10.5A€16A
类型:1个N沟道
导通电阻:14.3mΩ@10.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
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工作温度:-55℃~+150℃
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阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:945pF@15V
连续漏极电流:10.5A€16A
类型:1个N沟道
导通电阻:14.3mΩ@10.5A,10V
漏源电压:30V
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品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJW7N06A_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.173nF@25V
连续漏极电流:6.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:34mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
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输入电容:945pF@15V
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栅极电荷:20nC@10V
输入电容:945pF@15V
连续漏极电流:10.5A€16A
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导通电阻:14.3mΩ@10.5A,10V
漏源电压:30V
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品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJW7N06A_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.173nF@25V
连续漏极电流:6.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:34mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
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功率:18W€2.3W
连续漏极电流:10.5A€16A
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阈值电压:2.5V@250μA
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类型:1个N沟道
栅极电荷:20nC@10V
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销售单位:个
功率:18W€2.3W
连续漏极电流:10.5A€16A
漏源电压:30V
阈值电压:2.5V@250μA
导通电阻:14.3mΩ@10.5A,10V
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:945pF@15V
类型:1个N沟道
栅极电荷:20nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:18W€2.3W
连续漏极电流:10.5A€16A
漏源电压:30V
阈值电压:2.5V@250μA
导通电阻:14.3mΩ@10.5A,10V
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:945pF@15V
类型:1个N沟道
栅极电荷:20nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
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