采购热线 400-661-9010
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM2046C-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：270mW
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：1.07nC@4.5V
输入电容：30pF@10V
连续漏极电流：550mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：5pF@10V
导通电阻：420mΩ@4.5V，350mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM2046C-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：270mW
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：1.07nC@4.5V
输入电容：30pF@10V
连续漏极电流：550mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：5pF@10V
导通电阻：420mΩ@4.5V，350mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G26N02K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：26nC@4.5V
输入电容：777pF@10V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
反向传输电容：140pF@10V
导通电阻：9mΩ@4.5V，3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：3nC@4.5V
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：120mΩ@4.5V，4A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：3nC@4.5V
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：120mΩ@4.5V，4A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM2046C-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：270mW
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：1.07nC@4.5V
输入电容：30pF@10V
连续漏极电流：550mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：5pF@10V
导通电阻：420mΩ@4.5V，350mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G26N02K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：26nC@4.5V
输入电容：777pF@10V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
反向传输电容：140pF@10V
导通电阻：9mΩ@4.5V，3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM2046C-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：270mW
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：1.07nC@4.5V
输入电容：30pF@10V
连续漏极电流：550mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：5pF@10V
导通电阻：420mΩ@4.5V，350mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G26N02K
类型：1个N沟道
栅极电荷：26nC@4.5V
导通电阻：9mΩ@4.5V，3A
工作温度：-55℃~+150℃
漏源电压：20V
功率：33W
输入电容：777pF@10V
阈值电压：700mV@250μA
连续漏极电流：26A
反向传输电容：140pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：6.7nC@4.5V
输入电容：568pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@4.5V，3.1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G26N02K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：26nC@4.5V
输入电容：777pF@10V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
反向传输电容：140pF@10V
导通电阻：9mΩ@4.5V，3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A14FTA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：6.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：544pF@10V
连续漏极电流：3.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@3.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3B14FTA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：6.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：568pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@4.5V，3.1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3B14FTA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：6.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：568pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@4.5V，3.1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A14FTA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：6.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：544pF@10V
连续漏极电流：3.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@3.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML2402TRPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：540mW
阈值电压：700mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@15V
连续漏极电流：1.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：250mΩ@4.5V，930mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMH550UNEH
工作温度：-55℃~+150℃
功率：380mW
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：380pC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30.3pF@15V
连续漏极电流：770mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：3.7pF@15V
导通电阻：550mΩ@4.5V，770mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMH550UNEH
工作温度：-55℃~+150℃
功率：380mW
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：380pC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30.3pF@15V
连续漏极电流：770mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：3.7pF@15V
导通电阻：550mΩ@4.5V，770mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G26N02K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：26nC@4.5V
输入电容：777pF@10V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
反向传输电容：140pF@10V
导通电阻：9mΩ@4.5V，3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
