品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:5.5nC@4.5V
输入电容:464.3pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@10V,4A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:900pC@10V
输入电容:23.2pF@25V
连续漏极电流:380mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2.8Ω@250mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.15W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:19.8nC@10V
输入电容:839pF@15V
连续漏极电流:3.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:75mΩ@10V,4.2A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:900pC@10V
输入电容:23.2pF@25V
连续漏极电流:380mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2.8Ω@10V,250mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:450mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:870pC@10V
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:2个N沟道
导通电阻:2.8Ω@10V,200mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:280mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:500pC@4.5V
输入电容:36.3pF@5V
连续漏极电流:270mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2Ω@4V,10mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:450mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:870pC@10V
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:2个N沟道
导通电阻:2.8Ω@10V,200mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.15W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:19.8nC@10V
输入电容:839pF@15V
连续漏极电流:3.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:75mΩ@10V,4.2A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:870pC@10V
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:220mA
类型:2个N沟道
导通电阻:2.8Ω@250mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:900pC@10V
输入电容:23.2pF@25V
连续漏极电流:380mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2.8Ω@10V,250mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.15W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:19.8nC@10V
输入电容:839pF@15V
连续漏极电流:3.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:75mΩ@10V,4.2A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: