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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：3.5nC@4.5V
输入电容：150pF@15V
连续漏极电流：900mA
类型：1个P沟道
导通电阻：600mΩ@4.5V，610mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.15W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：19.8nC@10V
输入电容：839pF@15V
连续漏极电流：3.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：75mΩ@10V，4.2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：3.5nC@4.5V
输入电容：150pF@15V
连续漏极电流：900mA
类型：1个P沟道
导通电阻：600mΩ@4.5V，610mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.15W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：19.8nC@10V
输入电容：839pF@15V
连续漏极电流：3.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：75mΩ@10V，4.2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：23.1nC@4.5V
输入电容：2.4nF@10V
连续漏极电流：6A
类型：1个P沟道
导通电阻：35mΩ@4.5V，4A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.15W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：19.8nC@10V
输入电容：839pF@15V
连续漏极电流：3.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：75mΩ@10V，4.2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
