采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D5L-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：1.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D5L-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.6V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D5L-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.6V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D5L-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.6V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS76LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：57W€4.8W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：33.5nC@4.5V
输入电容：2.78nF@35V
连续漏极电流：67.4A€19.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.25mΩ@10A，4.5V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D5L-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.6V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW€1.14W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：56pF@10V
连续漏极电流：360mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，350mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：260mW€830mW
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：56pF@10V
连续漏极电流：320mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@320mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D5L-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.6V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS76LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：57W€4.8W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：33.5nC@4.5V
输入电容：2.78nF@35V
连续漏极电流：67.4A€19.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.25mΩ@10A，4.5V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D5L-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.6V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D5L-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.6V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D5L-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：1.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D5L-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.6V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS76LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：57W€4.8W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：33.5nC@4.5V
输入电容：2.78nF@35V
连续漏极电流：67.4A€19.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.25mΩ@10A，4.5V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D5L-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.6V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D5L-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.6V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D5L-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.6V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS76LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：57W€4.8W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：33.5nC@4.5V
输入电容：2.78nF@35V
连续漏极电流：67.4A€19.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.25mΩ@10A，4.5V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS76LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：57W€4.8W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：33.5nC@4.5V
输入电容：2.78nF@35V
连续漏极电流：67.4A€19.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.25mΩ@10A，4.5V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS76LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：57W€4.8W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：33.5nC@4.5V
输入电容：2.78nF@35V
连续漏极电流：67.4A€19.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.25mΩ@10A，4.5V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D5L-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.6V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D5L-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.6V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：260mW€830mW
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：56pF@10V
连续漏极电流：320mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@320mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM7788
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：24nC@10V
输入电容：3.415nF@15V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
反向传输电容：232pF@15V
导通电阻：4.5mΩ@10V，20A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM7788
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：24nC@10V
输入电容：3.415nF@15V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
反向传输电容：232pF@15V
导通电阻：4.5mΩ@10V，20A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM7788
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：24nC@10V
输入电容：3.415nF@15V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
反向传输电容：232pF@15V
导通电阻：4.5mΩ@10V，20A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS76LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：57W€4.8W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：33.5nC@4.5V
输入电容：2.78nF@35V
连续漏极电流：67.4A€19.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.25mΩ@10A，4.5V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：捷捷 微电子 JIEJIE MICROEL ECTRONICS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JMTQ35N06A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：41W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：2.9nF@25V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
反向传输电容：124pF@25V
导通电阻：12mΩ@10V，30A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：捷捷 微电子 JIEJIE MICROEL ECTRONICS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JMTQ35N06A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：41W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：2.9nF@25V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
反向传输电容：124pF@25V
导通电阻：12mΩ@10V，30A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
