采购热线 400-661-9010
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3481C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.7V@250μA
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：70pF@15V
导通电阻：37mΩ@10V，4.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3480C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：600pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
反向传输电容：60pF@15V
导通电阻：16mΩ@10V，6.2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2615(TE12L.F)
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
反向传输电容：25pF@10V
导通电阻：230mΩ@10V，1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC86244
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：345pF@75V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：144mΩ@2.3A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3481C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.7V@250μA
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：70pF@15V
导通电阻：37mΩ@10V，4.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：3945，"13+"：144192，"22+"：555}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6N25TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.1Ω@2.2A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3481C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.7V@250μA
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：70pF@15V
导通电阻：37mΩ@10V，4.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3480C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：600pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
反向传输电容：60pF@15V
导通电阻：16mΩ@10V，6.2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3480C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：600pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
反向传输电容：60pF@15V
导通电阻：16mΩ@10V，6.2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3481C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.7V@250μA
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：70pF@15V
导通电阻：37mΩ@10V，4.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3481C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.7V@250μA
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：70pF@15V
导通电阻：37mΩ@10V，4.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3480C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：600pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
反向传输电容：60pF@15V
导通电阻：16mΩ@10V，6.2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：3945，"13+"：144192，"22+"：555}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6N25TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.1Ω@2.2A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3480C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：600pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
反向传输电容：60pF@15V
导通电阻：16mΩ@10V，6.2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3481C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.7V@250μA
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：70pF@15V
导通电阻：37mΩ@10V，4.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW€6.25W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：450pF@20V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：240mΩ@1.3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC86244
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：345pF@75V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：144mΩ@2.3A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6N25TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.1Ω@2.2A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT3N40TF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：225pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
反向传输电容：3.7pF@25V
导通电阻：2.8mΩ@10V，1A
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"12+"：3945，"13+"：144192，"22+"：555}
规格型号(MPN)：FDD6N25TM
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
功率：50W
漏源电压：250V
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：6nC@10V
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：1.1Ω@2.2A，10V
连续漏极电流：4.4A
输入电容：250pF@25V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3480C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：600pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
反向传输电容：60pF@15V
导通电阻：16mΩ@10V，6.2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6N25TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.1Ω@2.2A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3481C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.7V@250μA
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：70pF@15V
导通电阻：37mΩ@10V，4.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3480C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：600pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
反向传输电容：60pF@15V
导通电阻：16mΩ@10V，6.2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW€6.25W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：450pF@20V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：240mΩ@1.3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW€6.25W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：450pF@20V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：240mΩ@1.3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3480C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：600pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
反向传输电容：60pF@15V
导通电阻：16mΩ@10V，6.2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW€6.25W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：450pF@20V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：240mΩ@1.3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
