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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC600N25NS3GATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：4V@90μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.35nF@100V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC600N25NS3GATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：4V@90μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.35nF@100V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4243
工作温度：-55℃~+150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.55nF@20V
连续漏极电流：6.7A€14A
类型：1个P沟道
导通电阻：44mΩ@6.7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4243
工作温度：-55℃~+150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.55nF@20V
连续漏极电流：6.7A€14A
类型：1个P沟道
导通电阻：44mΩ@6.7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB24N60DM2
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.055nF@100V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
