采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV304P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：63pF@10V
连续漏极电流：460mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.1Ω@4.5V，500mA
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV304P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：63pF@10V
连续漏极电流：460mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.1Ω@4.5V，500mA
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ036NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：37W€2.1W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.2nF@12V
连续漏极电流：40A€16A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV304P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：63pF@10V
连续漏极电流：460mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.1Ω@4.5V，500mA
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV304P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：63pF@10V
连续漏极电流：460mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.1Ω@4.5V，500mA
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV304P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：63pF@10V
连续漏极电流：460mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.1Ω@4.5V，500mA
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV304P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：63pF@10V
连续漏极电流：460mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.1Ω@4.5V，500mA
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ036NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：37W€2.1W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.2nF@12V
连续漏极电流：40A€16A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV304P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：63pF@10V
连续漏极电流：460mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.1Ω@4.5V，500mA
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV304P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：63pF@10V
连续漏极电流：460mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.1Ω@4.5V，500mA
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV304P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：63pF@10V
连续漏极电流：460mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.1Ω@4.5V，500mA
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV304P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：63pF@10V
连续漏极电流：460mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.1Ω@4.5V，500mA
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV304P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：63pF@10V
连续漏极电流：460mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.1Ω@4.5V，500mA
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV304P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：63pF@10V
连续漏极电流：460mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.1Ω@4.5V，500mA
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFML8244TRPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.35V@10μA
栅极电荷：5.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：24mΩ@10V，5.8A
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1123，"21+"：9900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ036NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：37W€2.1W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.2nF@12V
连续漏极电流：40A€16A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV304P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：63pF@10V
连续漏极电流：460mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.1Ω@4.5V，500mA
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV304P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：63pF@10V
连续漏极电流：460mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.1Ω@4.5V，500mA
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV304P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：63pF@10V
连续漏极电流：460mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.1Ω@4.5V，500mA
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV304P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：63pF@10V
连续漏极电流：460mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.1Ω@4.5V，500mA
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：12091，"23+"：3390，"MI+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ036NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：37W€2.1W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.2nF@12V
连续漏极电流：40A€16A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ036NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：37W€2.1W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.2nF@12V
连续漏极电流：40A€16A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV304P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：63pF@10V
连续漏极电流：460mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.1Ω@4.5V，500mA
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV304P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：63pF@10V
连续漏极电流：460mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.1Ω@4.5V，500mA
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ036NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：37W€2.1W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.2nF@12V
连续漏极电流：40A€16A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1123，"21+"：9900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ036NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：37W€2.1W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.2nF@12V
连续漏极电流：40A€16A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ036NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：37W€2.1W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.2nF@12V
连续漏极电流：40A€16A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：12091，"23+"：3390，"MI+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ036NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：37W€2.1W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.2nF@12V
连续漏极电流：40A€16A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV304P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：63pF@10V
连续漏极电流：460mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.1Ω@4.5V，500mA
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ036NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：37W€2.1W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.2nF@12V
连续漏极电流：40A€16A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
