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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7174DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.77nF@40V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ@10A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16327Q3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：8.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.3nF@12.5V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@24A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7174DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.77nF@40V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ@10A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
