采购热线 400-661-9010
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G60N04K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1.8nF@20V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：190pF@20V
导通电阻：5.3mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU60P04-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：110W
阈值电压：2.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：97nC@10V
输入电容：5.235nF@20V
连续漏极电流：60A
类型：1个P沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT105N10K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：83W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：16nC@10V
输入电容：1.574nF@50V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.5mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：69.4W
阈值电压：3.6V@250μA
栅极电荷：64nC@10V
输入电容：3.25nF@30V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.8mΩ@10V，15A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：69.4W
阈值电压：3.6V@250μA
栅极电荷：64nC@10V
输入电容：3.25nF@30V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.8mΩ@10V，15A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：69.4W
阈值电压：3.6V@250μA
栅极电荷：64nC@10V
输入电容：3.25nF@30V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.8mΩ@10V，15A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU60P04-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：110W
阈值电压：2.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：97nC@10V
输入电容：5.235nF@20V
连续漏极电流：60A
类型：1个P沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT060N04T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：1.301nF@20V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA18BDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36.8W
阈值电压：2.4V
栅极电荷：6.2nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：60A
类型：MOSFET
导通电阻：6.83mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT088N06T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：75W
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：24nC@10V
输入电容：1.62nF@30V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT088N06T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：75W
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：24nC@10V
输入电容：1.62nF@30V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G60N04D52
工作温度：-55℃~+150℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1.982nF@20V
连续漏极电流：60A
类型：2个N沟道
反向传输电容：170pF@20V
导通电阻：7.2mΩ@10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G60N10T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：160W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：146nC@10V
输入电容：3.97nF@50V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：160pF@50V
导通电阻：14mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT088N06T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：75W
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：24nC@10V
输入电容：1.62nF@30V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT060N04T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：1.301nF@20V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU60P04-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：110W
阈值电压：2.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：97nC@10V
输入电容：5.235nF@20V
连续漏极电流：60A
类型：1个P沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU60P04-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：110W
阈值电压：2.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：97nC@10V
输入电容：5.235nF@20V
连续漏极电流：60A
类型：1个P沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA18BDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36.8W
阈值电压：2.4V
栅极电荷：6.2nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：60A
类型：MOSFET
导通电阻：6.83mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT105N10K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：83W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：16nC@10V
输入电容：1.574nF@50V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.5mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G60N10T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：160W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：146nC@10V
输入电容：3.97nF@50V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：160pF@50V
导通电阻：14mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GS66516B-MR
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1.1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.2nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：60A
类型：MOSFET
导通电阻：32mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G60N10T
反向传输电容：160pF@50V
输入电容：3.97nF@50V
类型：1个N沟道
功率：160W
阈值电压：2.5V@250μA
连续漏极电流：60A
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：14mΩ
栅极电荷：146nC@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU60P04-TP
功率：110W
输入电容：5.235nF@20V
阈值电压：2.8V@250μA
漏源电压：40V
连续漏极电流：60A
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：8mΩ@20A，10V
ECCN：EAR99
栅极电荷：97nC@10V
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT105N10K
功率：83W
阈值电压：4V@250μA
输入电容：1.574nF@50V
连续漏极电流：60A
工作温度：-55℃~+150℃
栅极电荷：16nC@10V
类型：1个N沟道
导通电阻：8.5mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU60P04-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：110W
阈值电压：2.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：97nC@10V
输入电容：5.235nF@20V
连续漏极电流：60A
类型：1个P沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU60P04-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：110W
阈值电压：2.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：97nC@10V
输入电容：5.235nF@20V
连续漏极电流：60A
类型：1个P沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GS66516B-MR
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1.1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.2nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：60A
类型：MOSFET
导通电阻：32mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GS66516B-MR
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1.1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.2nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：60A
类型：MOSFET
导通电阻：32mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GS66516B-MR
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1.1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.2nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：60A
类型：MOSFET
导通电阻：32mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU60P04-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：110W
阈值电压：2.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：97nC@10V
输入电容：5.235nF@20V
连续漏极电流：60A
类型：1个P沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
