品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA18BDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36.8W
阈值电压：2.4V
栅极电荷：6.2nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：60A
类型：MOSFET
导通电阻：6.83mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA18BDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36.8W
阈值电压：2.4V
栅极电荷：6.2nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：60A
类型：MOSFET
导通电阻：6.83mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：130nC@10V
输入电容：4.98nF@15V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.8mΩ@10V，20A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：250nC@10V
输入电容：8.65nF@15V
连续漏极电流：60A
类型：1个P沟道
导通电阻：3.9mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W€53W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
输入电容：2.31nF@15V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：3W€53W
输入电容：2.31nF@15V
漏源电压：30V
连续漏极电流：60A
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@18A，10V
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
