采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310UT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：240mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2710UTQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：320mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
输入电容：42pF@16V
连续漏极电流：870mA
类型：1个N沟道
导通电阻：450mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2058U-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.13W
阈值电压：1.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：281pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2750}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR202NL6327HTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@30μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.147nF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：21mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS214NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@3.7μA
栅极电荷：800pC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：140mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2055UWQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：520mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.3nC@4.5V
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：46mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2991UFZ-7B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：530mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：350pC@4.5V
输入电容：21.5pF@16V
连续漏极电流：550mA
类型：1个N沟道
导通电阻：990mΩ@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN327N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：423pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@4.5V，2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2312
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：11nC@4.5V
输入电容：780pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8810-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1V@250μA
输入电容：1.15nF@10V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：145pF@10V
导通电阻：20mΩ@10V，7A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2040UVT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：667pF@10V
连续漏极电流：6.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：24mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2055UW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：520mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.3nC@4.5V
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：46mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2991UT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：280mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：350pC@4.5V
输入电容：21.5pF@15V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2991UT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：280mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：350pC@4.5V
输入电容：21.5pF@15V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS806NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：750mV@11μA
栅极电荷：1.7nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：529pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：57mΩ@2.3A，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2040UVT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：667pF@10V
连续漏极电流：6.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：24mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV40UNR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：950mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：347pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2710UWQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：470mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
输入电容：42pF@16V
连续漏极电流：900mA
类型：1个N沟道
导通电阻：450mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2058U-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.13W
阈值电压：1.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：281pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN327N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：423pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@4.5V，2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS806NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：750mV@11μA
栅极电荷：1.7nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：529pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：57mΩ@2.3A，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS806NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：750mV@11μA
栅极电荷：1.7nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：529pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：57mΩ@2.3A，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2055UW-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：520mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.3nC@4.5V
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：46mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS806NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：750mV@11μA
栅极电荷：1.7nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：529pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：57mΩ@2.3A，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2058U-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.13W
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：281pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS806NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：750mV@11μA
栅极电荷：1.7nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：529pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：57mΩ@2.3A，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS214NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@3.7μA
栅极电荷：800pC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：140mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：7nC@4.5V
输入电容：594.3pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@4.5V，3.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV40UNR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：950mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：347pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS806NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：750mV@11μA
栅极电荷：1.7nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：529pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：57mΩ@2.3A，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
