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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：19nC@4.5V
输入电容：1.02nF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：39mΩ@4.5V，4.7A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312BDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：850mV@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312BDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：850mV@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：19nC@4.5V
输入电容：1.02nF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：39mΩ@4.5V，4.7A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
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栅极电荷：19nC@4.5V
连续漏极电流：3.7A
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输入电容：1.02nF@10V
导通电阻：39mΩ@4.5V，4.7A
阈值电压：1V@250μA
漏源电压：20V
功率：750mW
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：850mV@250μA
栅极电荷：12nC@4.5V
连续漏极电流：3.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：31mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：850mV@250μA
栅极电荷：12nC@4.5V
连续漏极电流：3.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：31mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：14nC@4.5V
连续漏极电流：3.77A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2312CX RFG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@4.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2312CX RFG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@4.9A，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM2312CX RFG
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功率：750mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@4.9A，4.5V
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栅极电荷：19nC@4.5V
输入电容：1.02nF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：39mΩ@4.5V，4.7A
漏源电压：20V
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：19nC@4.5V
输入电容：1.02nF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：39mΩ@4.5V，4.7A
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：850mV@250μA
栅极电荷：12nC@4.5V
连续漏极电流：3.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：31mΩ@4.5V，5A
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：14nC@4.5V
连续漏极电流：3.77A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
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阈值电压：850mV@250μA
栅极电荷：12nC@4.5V
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类型：1个N沟道
导通电阻：31mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
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品牌：VISHAY
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销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：14nC@4.5V
连续漏极电流：3.77A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
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品牌：VISHAY
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：850mV@250μA
栅极电荷：12nC@4.5V
连续漏极电流：3.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：31mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2312CX RFG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@4.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：33mΩ@4.5V，5A
类型：1个N沟道
连续漏极电流：3.77A
漏源电压：20V
功率：750mW
栅极电荷：14nC@4.5V
阈值电压：950mV@250μA
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
阈值电压：850mV@250μA
栅极电荷：12nC@4.5V
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
漏源电压：20V
导通电阻：31mΩ@4.5V，5A
功率：750mW
连续漏极电流：3.9A
包装清单：商品主体 * 1
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