品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R1K4P7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:32W
阈值电压:3.5V@700μA
栅极电荷:10nC@10V
输入电容:250pF@500V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.4Ω@10V,1.4A
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP80N240K6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:140W
阈值电压:4V@100μA
栅极电荷:25.9nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.35nF@100V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:220mΩ@7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT8N80L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:245W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
输入电容:1.65nF@25V
连续漏极电流:7.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.63Ω@4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MSJU04N80A-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:88W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:396pF@100V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.3Ω@2.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT8N80L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:245W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
输入电容:1.65nF@25V
连续漏极电流:7.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.63Ω@4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP5N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:16.5nC@10V
输入电容:321pF@100V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.35Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP15N80AEF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.128nF@100V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:350mΩ@6.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP17N80AEF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:179W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.3nF@100V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:305mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:35.7W
阈值电压:4.5V@1.1mA
栅极电荷:56nC@10V
输入电容:2.35nF@100V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:400mΩ@10V,5.5A
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP17N80AEF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:179W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.3nF@100V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:305mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP15N80AEF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.128nF@100V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:350mΩ@6.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:28.4W
阈值电压:4.5V@600μA
栅极电荷:29nC@10V
输入电容:1.315nF@100V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:850mΩ@3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STP80N450K6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:100W
阈值电压:4V@100μA
栅极电荷:17.3nC@10V
输入电容:700pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:450mΩ
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:35.7W
阈值电压:4.5V@1.1mA
栅极电荷:56nC@10V
输入电容:2.35nF@100V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:400mΩ@10V,5.5A
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB5N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:16.5nC@10V
输入电容:321pF@100V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.35Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP15N80AEF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.128nF@100V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:350mΩ@6.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STP80N450K6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:100W
阈值电压:4V@100μA
栅极电荷:17.3nC@10V
输入电容:700pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:450mΩ
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPP17N80C3XKSA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:208W
阈值电压:3.9V@1mA
栅极电荷:177nC@10V
输入电容:2.32nF@25V
连续漏极电流:17A
类型:1个N沟道
导通电阻:290mΩ@11A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP80N240K6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:140W
阈值电压:4V@100μA
栅极电荷:25.9nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.35nF@100V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:220mΩ@7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB5N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:16.5nC@10V
输入电容:321pF@100V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.35Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP17N80AEF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:179W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.3nF@100V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:305mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT8N80L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:245W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
输入电容:1.65nF@25V
连续漏极电流:7.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.63Ω@4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STP80N450K6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:100W
阈值电压:4V@100μA
栅极电荷:17.3nC@10V
输入电容:700pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:450mΩ
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP17N80AEF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:179W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.3nF@100V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:305mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STP80N450K6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:100W
阈值电压:4V@100μA
栅极电荷:17.3nC@10V
输入电容:700pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:450mΩ
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP5N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:16.5nC@10V
输入电容:321pF@100V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.35Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MSJU04N80A-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:88W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:396pF@100V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.3Ω@2.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MSJU04N80A-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:88W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:396pF@100V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.3Ω@2.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP17N80AEF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:179W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.3nF@100V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:305mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB5N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:16.5nC@10V
输入电容:321pF@100V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.35Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存: