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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFU014PBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：25W€2.5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：7.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@4.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5612
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD20N06TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€38W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@25V
连续漏极电流：16.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：63mΩ@10V，8.4A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5612
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD35NF06L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：105W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：60nC@10V
输入电容：1.3nF@25V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：20mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS4604DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.6W€33.7W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：22nC@10V
输入电容：960pF@30V
连续漏极电流：14.6A€44.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS4604DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.6W€33.7W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：22nC@10V
输入电容：960pF@30V
连续漏极电流：14.6A€44.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS4604DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.6W€33.7W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：22nC@10V
输入电容：960pF@30V
连续漏极电流：14.6A€44.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5612
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFU014PBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：25W€2.5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：7.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@4.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5612
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5612
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFU014PBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：25W€2.5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：7.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@4.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5612
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS4604DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.6W€33.7W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：22nC@10V
输入电容：960pF@30V
连续漏极电流：14.6A€44.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5612
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD20N06TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€38W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@25V
连续漏极电流：16.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：63mΩ@10V，8.4A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFU014PBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：25W€2.5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：7.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@4.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFU014PBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：25W€2.5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：7.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@4.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5612
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5612
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFU014PBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：25W€2.5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：7.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@4.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS4604DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.6W€33.7W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：22nC@10V
输入电容：960pF@30V
连续漏极电流：14.6A€44.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFU014PBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：25W€2.5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：7.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@4.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFU014PBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：25W€2.5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：7.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@4.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5612
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFU014PBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：25W€2.5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：7.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@4.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5612
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFU014PBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：25W€2.5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：7.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@4.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5612
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
