品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:272mW
阈值电压:1.5V@100μA
栅极电荷:1.3nC@5V
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:250mA
类型:2个N沟道
导通电阻:1.5Ω@4V,10mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@100μA
栅极电荷:1.23nC@10V
输入电容:48pF@5V
连续漏极电流:250mA
类型:2个N沟道
导通电阻:2.4Ω@10V,250mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@100μA
栅极电荷:1.23nC@10V
输入电容:48pF@5V
连续漏极电流:250mA
类型:2个N沟道
导通电阻:2.4Ω@10V,250mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: