采购热线 400-661-9010
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：20746，"13+"：46006，"15+"：50000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB420UN，315
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW€2.7W
阈值电压：950mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：980pC@4.5V
输入电容：65pF@25V
连续漏极电流：900mA
类型：1个N沟道
导通电阻：490mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2710UWQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：470mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
输入电容：42pF@16V
连续漏极电流：900mA
类型：1个N沟道
导通电阻：450mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2710UW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：470mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
输入电容：42pF@16V
连续漏极电流：900mA
类型：1个N沟道
导通电阻：450mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3731U-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：400mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：73pF@25V
连续漏极电流：900mA
类型：1个N沟道
导通电阻：460mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB420UN，315
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW€2.7W
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：980pC@4.5V
输入电容：65pF@25V
连续漏极电流：900mA
类型：1个N沟道
导通电阻：490mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2710UWQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：470mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
输入电容：42pF@16V
连续漏极电流：900mA
类型：1个N沟道
导通电阻：450mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2710UWQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：470mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
输入电容：42pF@16V
连续漏极电流：900mA
类型：1个N沟道
导通电阻：450mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2710UW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：470mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
输入电容：42pF@16V
连续漏极电流：900mA
类型：1个N沟道
导通电阻：450mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2710UWQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：470mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
输入电容：42pF@16V
连续漏极电流：900mA
类型：1个N沟道
导通电阻：450mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：20746，"13+"：46006，"15+"：50000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB420UN，315
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW€2.7W
阈值电压：950mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：980pC@4.5V
输入电容：65pF@25V
连续漏极电流：900mA
类型：1个N沟道
导通电阻：490mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2710UW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：470mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
输入电容：42pF@16V
连续漏极电流：900mA
类型：1个N沟道
导通电阻：450mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2710UW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：470mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
输入电容：42pF@16V
连续漏极电流：900mA
类型：1个N沟道
导通电阻：450mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB420UN，315
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW€2.7W
阈值电压：950mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：980pC@4.5V
输入电容：65pF@25V
连续漏极电流：900mA
类型：1个N沟道
导通电阻：490mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2710UWQ-13
功率：470mW
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
连续漏极电流：900mA
漏源电压：20V
导通电阻：450mΩ@600mA，4.5V
输入电容：42pF@16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3731U-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：400mW
阈值电压：950mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：73pF@25V
连续漏极电流：900mA
类型：1个N沟道
导通电阻：460mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：500nC@4.5V
输入电容：37pF@16V
连续漏极电流：900mA
类型：1个N沟道
导通电阻：600mΩ@4.5V，200mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW€5.43W
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：1.3nC@4.5V
输入电容：41pF@15V
连续漏极电流：900mA
类型：1个N沟道
导通电阻：470mΩ@900mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2710UW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：470mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
输入电容：42pF@16V
连续漏极电流：900mA
类型：1个N沟道
导通电阻：450mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：52pF@16V
连续漏极电流：900mA
类型：1个N沟道
导通电阻：600mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
输入电容：109pF@10V
连续漏极电流：900mA
类型：1个N沟道
导通电阻：220mΩ@900mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：500nC@4.5V
输入电容：37pF@16V
连续漏极电流：900mA
类型：1个N沟道
导通电阻：600mΩ@4.5V，200mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
输入电容：109pF@10V
连续漏极电流：900mA
类型：1个N沟道
导通电阻：220mΩ@900mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：500nC@4.5V
输入电容：37pF@16V
连续漏极电流：900mA
类型：1个N沟道
导通电阻：600mΩ@4.5V，200mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3731U-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：400mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：73pF@25V
连续漏极电流：900mA
类型：1个N沟道
导通电阻：460mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2710UW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：470mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
输入电容：42pF@16V
连续漏极电流：900mA
类型：1个N沟道
导通电阻：450mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：400mW
栅极电荷：500nC@4.5V
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：900mA
漏源电压：20V
导通电阻：600mΩ@4.5V，200mA
输入电容：37pF@16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
