采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD390N15A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18.6nC@10V
输入电容：1.285nF@75V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@26A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD390N15ALZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：63W
阈值电压：2.8V@250μA
栅极电荷：39nC@10V
输入电容：1.76nF@75V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
导通电阻：42mΩ@26A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD390N15A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18.6nC@10V
输入电容：1.285nF@75V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@26A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD390N15A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18.6nC@10V
输入电容：1.285nF@75V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@26A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MLS60R150W
工作温度：-55℃~+150℃
功率：220W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：43nC@10V
输入电容：1.86nF@25V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
反向传输电容：56pF@25V
导通电阻：126mΩ@10V，9A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD390N15ALZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：63W
阈值电压：2.8V@250μA
栅极电荷：39nC@10V
输入电容：1.76nF@75V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
导通电阻：42mΩ@26A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G26P04K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：42nC@10V
连续漏极电流：26A
类型：1个P沟道
导通电阻：13mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G26N02K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：26nC@4.5V
输入电容：777pF@10V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
反向传输电容：140pF@10V
导通电阻：9mΩ@4.5V，3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD390N15A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18.6nC@10V
输入电容：1.285nF@75V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@26A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD390N15A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18.6nC@10V
输入电容：1.285nF@75V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@26A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD390N15A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18.6nC@10V
输入电容：1.285nF@75V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@26A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD390N15A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18.6nC@10V
输入电容：1.285nF@75V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@26A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD390N15A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18.6nC@10V
输入电容：1.285nF@75V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@26A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD390N15ALZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：63W
阈值电压：2.8V@250μA
栅极电荷：39nC@10V
输入电容：1.76nF@75V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
导通电阻：42mΩ@26A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD390N15ALZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：63W
阈值电压：2.8V@250μA
栅极电荷：39nC@10V
输入电容：1.76nF@75V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
导通电阻：42mΩ@26A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD390N15ALZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：63W
阈值电压：2.8V@250μA
栅极电荷：39nC@10V
输入电容：1.76nF@75V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
导通电阻：42mΩ@26A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD390N15A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18.6nC@10V
输入电容：1.285nF@75V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@26A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G26P04K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：42nC@10V
连续漏极电流：26A
类型：1个P沟道
导通电阻：13mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G26N02K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：26nC@4.5V
输入电容：777pF@10V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
反向传输电容：140pF@10V
导通电阻：9mΩ@4.5V，3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MLS60R150W
工作温度：-55℃~+150℃
功率：220W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：43nC@10V
输入电容：1.86nF@25V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
反向传输电容：56pF@25V
导通电阻：126mΩ@10V，9A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA10BDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W
阈值电压：2.4V
栅极电荷：24.1nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：26A
类型：MOSFET
导通电阻：3.6mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA10BDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W
阈值电压：2.4V
栅极电荷：24.1nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：26A
类型：MOSFET
导通电阻：3.6mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA10BDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W
阈值电压：2.4V
栅极电荷：24.1nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：26A
类型：MOSFET
导通电阻：3.6mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA10BDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W
阈值电压：2.4V
栅极电荷：24.1nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：26A
类型：MOSFET
导通电阻：3.6mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD390N15A
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18.6nC@10V
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
功率：63W
输入电容：1.285nF@75V
漏源电压：150V
导通电阻：40mΩ@26A，10V
连续漏极电流：26A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G26N02K
类型：1个N沟道
栅极电荷：26nC@4.5V
导通电阻：9mΩ@4.5V，3A
工作温度：-55℃~+150℃
漏源电压：20V
功率：33W
输入电容：777pF@10V
阈值电压：700mV@250μA
连续漏极电流：26A
反向传输电容：140pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD390N15ALZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：63W
阈值电压：2.8V@250μA
栅极电荷：39nC@10V
输入电容：1.76nF@75V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
导通电阻：42mΩ@26A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD390N15A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18.6nC@10V
输入电容：1.285nF@75V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@26A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G26N02K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：26nC@4.5V
输入电容：777pF@10V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
反向传输电容：140pF@10V
导通电阻：9mΩ@4.5V，3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD390N15A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18.6nC@10V
输入电容：1.285nF@75V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@26A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
