品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2900UW-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:49pF@16V
连续漏极电流:600mA
类型:1个P沟道
导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2900UW-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:49pF@16V
连续漏极电流:600mA
类型:1个P沟道
导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:3.5nC@10V
输入电容:141pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1Ω@10V,600mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:3.5nC@10V
输入电容:141pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1Ω@10V,600mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2900UW-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:49pF@16V
连续漏极电流:600mA
类型:1个P沟道
导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:550mW
阈值电压:1V@250μA
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:600mA
类型:1个P沟道
导通电阻:900mΩ@4.5V,430mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2900UW-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:49pF@16V
连续漏极电流:600mA
类型:1个P沟道
导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:3.5nC@10V
输入电容:141pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1Ω@10V,600mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2900UW-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:49pF@16V
连续漏极电流:600mA
类型:1个P沟道
导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2900UW-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:49pF@16V
连续漏极电流:600mA
类型:1个P沟道
导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:1.8nC@5V
输入电容:141pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1Ω@600mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:3.5nC@10V
输入电容:141pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1Ω@10V,600mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
阈值电压:4V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:1Ω@10V,600mA
功率:625mW
栅极电荷:3.5nC@10V
类型:1个P沟道
连续漏极电流:600mA
漏源电压:100V
输入电容:141pF@50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2900UW-13
导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V
功率:300mW
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:1V@250μA
漏源电压:20V
输入电容:49pF@16V
栅极电荷:700pC@4.5V
类型:1个P沟道
连续漏极电流:600mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:550mW
阈值电压:1V@250μA
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:600mA
类型:1个P沟道
导通电阻:900mΩ@4.5V,430mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:550mW
阈值电压:1V@250μA
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:600mA
类型:1个P沟道
导通电阻:900mΩ@4.5V,430mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.5V@1mA
输入电容:75pF@25V
连续漏极电流:600mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3Ω@10V,500mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2900UW-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:49pF@16V
连续漏极电流:600mA
类型:1个P沟道
导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
阈值电压:4V@250μA
导通电阻:1Ω@600mA,10V
工作温度:-55℃~+150℃
栅极电荷:1.8nC@5V
功率:625mW
类型:1个P沟道
连续漏极电流:600mA
漏源电压:100V
输入电容:141pF@50V
包装清单:商品主体 * 1
库存: