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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2333CDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1225pF@6V
连续漏极电流：7.1A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@5.1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2333CDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1225pF@6V
连续漏极电流：7.1A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@5.1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：6.8nC@4.5V
输入电容：722pF@25V
连续漏极电流：7.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@10V，6A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：6.8nC@4.5V
输入电容：722pF@25V
连续漏极电流：7.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@10V，6A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4813
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.25nF@15V
连续漏极电流：7.1A
类型：2个P沟道
导通电阻：25mΩ@7.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
输入电容：722pF@25V
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：6.8nC@4.5V
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@10V，6A
连续漏极电流：7.1A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
