采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.04W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：8nC@10V
输入电容：290pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：2个N沟道
导通电阻：135mΩ@1.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.04W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：8nC@10V
输入电容：290pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：2个N沟道
导通电阻：135mΩ@1.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：17.7nC@10V
输入电容：637pF@30V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：125mΩ@10V，2.3A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：5.8nC@4.5V
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：200mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：17.7nC@10V
输入电容：637pF@30V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：125mΩ@10V，2.3A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.04W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：8nC@10V
输入电容：290pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：2个N沟道
导通电阻：135mΩ@1.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：5.8nC@4.5V
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：200mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
