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    连续漏极电流: 13A
    类型: 1个N沟道
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    onsemi Mosfet场效应管 NTPF250N65S3H 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTPF250N65S3H 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTPF250N65S3H

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:29W

    阈值电压:4V@1.1mA

    栅极电荷:24nC@10V

    输入电容:1.261nF@400V

    连续漏极电流:13A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:201mΩ@10V,6.5A

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD250N65S3H 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD250N65S3H 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD250N65S3H

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:106W

    阈值电压:4V@1.1mA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.261nF@400V

    连续漏极电流:13A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:201mΩ@10V,6.5A

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NTPF250N65S3H 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTPF250N65S3H 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":417,"22+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTPF250N65S3H

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:29W

    阈值电压:4V@1.1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    输入电容:1.261nF@400V

    连续漏极电流:13A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:201mΩ@10V,6.5A

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    ST Mosfet场效应管 STF18N60M6 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STF18N60M6 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF18N60M6

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:25W

    阈值电压:4.75V@250μA

    栅极电荷:16.8nC@10V

    输入电容:650pF@100V

    连续漏极电流:13A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:280mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTPF250N65S3H 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTPF250N65S3H 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTPF250N65S3H

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:29W

    阈值电压:4V@1.1mA

    栅极电荷:24nC@10V

    输入电容:1.261nF@400V

    连续漏极电流:13A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:201mΩ@10V,6.5A

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP15N80AEF-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP15N80AEF-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP15N80AEF-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:156W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1.128nF@100V

    连续漏极电流:13A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:350mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA14N60E-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA14N60E-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA14N60E-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:147W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1.205nF@100V

    连续漏极电流:13A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:309mΩ@7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA14N60E-GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA14N60E-GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA14N60E-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:147W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1.205nF@100V

    连续漏极电流:13A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:309mΩ@7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NTD250N65S3H 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD250N65S3H 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD250N65S3H

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:106W

    阈值电压:4V@1.1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.261nF@400V

    连续漏极电流:13A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:201mΩ@10V,6.5A

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMT35M4LFDF-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT35M4LFDF-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT35M4LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:860mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:14.9nC@10V

    输入电容:1.009nF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD250N65S3H 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD250N65S3H 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD250N65S3H

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:106W

    阈值电压:4V@1.1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.261nF@400V

    连续漏极电流:13A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:201mΩ@10V,6.5A

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP15N80AEF-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP15N80AEF-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP15N80AEF-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:156W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1.128nF@100V

    连续漏极电流:13A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:350mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT35M4LFDF-7 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT35M4LFDF-7 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT35M4LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:860mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:14.9nC@10V

    输入电容:1.009nF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NTPF250N65S3H 起订75个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTPF250N65S3H 起订75个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":417,"22+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTPF250N65S3H

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:29W

    阈值电压:4V@1.1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    输入电容:1.261nF@400V

    连续漏极电流:13A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:201mΩ@10V,6.5A

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    ST Mosfet场效应管 STF18N60M6 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STF18N60M6 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF18N60M6

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:25W

    阈值电压:4.75V@250μA

    栅极电荷:16.8nC@10V

    输入电容:650pF@100V

    连续漏极电流:13A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:280mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT35M4LFDF-7 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT35M4LFDF-7 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT35M4LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:860mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:14.9nC@10V

    输入电容:1.009nF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP15N80AEF-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP15N80AEF-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP15N80AEF-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:156W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1.128nF@100V

    连续漏极电流:13A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:350mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH250N60EF-T1GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH250N60EF-T1GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHH250N60EF-T1GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:89W

    阈值电压:5V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    输入电容:915pF@100V

    连续漏极电流:13A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:250mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD250N65S3H 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD250N65S3H 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD250N65S3H

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:106W

    阈值电压:4V@1.1mA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.261nF@400V

    连续漏极电流:13A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:201mΩ@10V,6.5A

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTPF250N65S3H 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTPF250N65S3H 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":417,"22+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTPF250N65S3H

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:29W

    阈值电压:4V@1.1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    输入电容:1.261nF@400V

    连续漏极电流:13A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:201mΩ@10V,6.5A

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD250N65S3H 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD250N65S3H 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD250N65S3H

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:106W

    阈值电压:4V@1.1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.261nF@400V

    连续漏极电流:13A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:201mΩ@10V,6.5A

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD250N65S3H 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD250N65S3H 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD250N65S3H

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:106W

    阈值电压:4V@1.1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.261nF@400V

    连续漏极电流:13A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:201mΩ@10V,6.5A

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP15N80AEF-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP15N80AEF-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP15N80AEF-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:156W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1.128nF@100V

    连续漏极电流:13A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:350mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP15N80AEF-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP15N80AEF-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP15N80AEF-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:156W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1.128nF@100V

    连续漏极电流:13A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:350mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP15N80AEF-GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP15N80AEF-GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP15N80AEF-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:156W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1.128nF@100V

    连续漏极电流:13A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:350mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF18N60M6 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STF18N60M6 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF18N60M6

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:25W

    阈值电压:4.75V@250μA

    栅极电荷:16.8nC@10V

    输入电容:650pF@100V

    连续漏极电流:13A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:280mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF18N60M6 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STF18N60M6 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF18N60M6

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:25W

    阈值电压:4.75V@250μA

    栅极电荷:16.8nC@10V

    输入电容:650pF@100V

    连续漏极电流:13A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:280mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6670A 起订数100个
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6670A 起订数100个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:30nC@5V

    输入电容:2.22nF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8mΩ@10V,13A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD250N65S3H 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD250N65S3H 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD250N65S3H

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:106W

    阈值电压:4V@1.1mA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.261nF@400V

    连续漏极电流:13A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:201mΩ@10V,6.5A

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD250N65S3H 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD250N65S3H 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD250N65S3H

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:106W

    阈值电压:4V@1.1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.261nF@400V

    连续漏极电流:13A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:201mΩ@10V,6.5A

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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