采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312BDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：850mV@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312BDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：850mV@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2672
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V
栅极电荷：43nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：3.9A
类型：MOSFET
导通电阻：70mΩ
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2672
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V
栅极电荷：43nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：3.9A
类型：MOSFET
导通电阻：70mΩ
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：16.6nC@10V
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@10V，2A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：16.6nC@10V
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@10V，2A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：16.6nC@10V
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@10V，2A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2672
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V
栅极电荷：43nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：3.9A
类型：MOSFET
导通电阻：70mΩ
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2672
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V
栅极电荷：43nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：3.9A
类型：MOSFET
导通电阻：70mΩ
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2672
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V
栅极电荷：43nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：3.9A
类型：MOSFET
导通电阻：70mΩ
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2672
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V
栅极电荷：43nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：3.9A
类型：MOSFET
导通电阻：70mΩ
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：850mV@250μA
栅极电荷：12nC@4.5V
连续漏极电流：3.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：31mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：8.6nC@10V
输入电容：448pF@15V
连续漏极电流：3.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：510mW€3.9W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：10nC@10V
输入电容：276pF@15V
连续漏极电流：3.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：43mΩ@3.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：850mV@250μA
栅极电荷：12nC@4.5V
连续漏极电流：3.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：31mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2318CX RFG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@20V
连续漏极电流：3.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@3.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.8W
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
连续漏极电流：3.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：58mΩ@10V，3.1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：850mV@250μA
栅极电荷：12nC@4.5V
连续漏极电流：3.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：31mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：850mV@250μA
栅极电荷：12nC@4.5V
连续漏极电流：3.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：31mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：850mV@250μA
栅极电荷：12nC@4.5V
连续漏极电流：3.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：31mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
阈值电压：1.4V@250μA
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
功率：2.8W
连续漏极电流：3.9A
栅极电荷：12nC@10V
导通电阻：58mΩ@10V，3.1A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2318CX RFG
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
漏源电压：40V
连续漏极电流：3.9A
输入电容：540pF@20V
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：10nC@10V
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：45mΩ@3.9A，10V
功率：1.25W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
阈值电压：850mV@250μA
栅极电荷：12nC@4.5V
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
漏源电压：20V
导通电阻：31mΩ@4.5V，5A
功率：750mW
连续漏极电流：3.9A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
