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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：8.6nC@10V
输入电容：448pF@15V
连续漏极电流：3.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：510mW€3.9W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：10nC@10V
输入电容：276pF@15V
连续漏极电流：3.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：43mΩ@3.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.8W
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
连续漏极电流：3.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：58mΩ@10V，3.1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
阈值电压：1.4V@250μA
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
功率：2.8W
连续漏极电流：3.9A
栅极电荷：12nC@10V
导通电阻：58mΩ@10V，3.1A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
