品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP165N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:142W
阈值电压:4V@1.6mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
输入电容:1.808nF@400V
连续漏极电流:19A
类型:1个N沟道
导通电阻:132mΩ@10V,9.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP165N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:142W
阈值电压:4V@1.6mA
栅极电荷:35nC@10V
输入电容:1.808nF@400V
连续漏极电流:19A
类型:1个N沟道
导通电阻:132mΩ@10V,9.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT60R145CFD7XTMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:116W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:19A
类型:MOSFET
导通电阻:145mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP165N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:142W
阈值电压:4V@1.6mA
栅极电荷:35nC@10V
输入电容:1.808nF@400V
连续漏极电流:19A
类型:1个N沟道
导通电阻:132mΩ@10V,9.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2000}
包装规格(MPQ):2000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT60R145CFD7XTMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:116W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:19A
类型:MOSFET
导通电阻:145mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP165N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:142W
阈值电压:4V@1.6mA
栅极电荷:35nC@10V
输入电容:1.808nF@400V
连续漏极电流:19A
类型:1个N沟道
导通电阻:132mΩ@10V,9.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT60R145CFD7XTMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:116W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:19A
类型:MOSFET
导通电阻:145mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT60R145CFD7XTMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:116W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:19A
类型:MOSFET
导通电阻:145mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT60R145CFD7XTMA1
阈值电压:4V
包装方式:Reel
连续漏极电流:19A
功率:116W
漏源电压:650V
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:145mΩ
栅极电荷:28nC
ECCN:EAR99
类型:MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP165N65S3H
漏源电压:650V
导通电阻:132mΩ@10V,9.5A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:142W
类型:1个N沟道
连续漏极电流:19A
栅极电荷:35nC@10V
阈值电压:4V@1.6mA
输入电容:1.808nF@400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2000}
包装规格(MPQ):2000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT60R145CFD7XTMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:116W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:19A
类型:MOSFET
导通电阻:145mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP165N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:142W
阈值电压:4V@1.6mA
栅极电荷:35nC@10V
输入电容:1.808nF@400V
连续漏极电流:19A
类型:1个N沟道
导通电阻:132mΩ@10V,9.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2000}
包装规格(MPQ):2000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT60R145CFD7XTMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:116W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:19A
类型:MOSFET
导通电阻:145mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP165N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:142W
阈值电压:4V@1.6mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
输入电容:1.808nF@400V
连续漏极电流:19A
类型:1个N沟道
导通电阻:132mΩ@10V,9.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2000}
包装规格(MPQ):2000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT60R145CFD7XTMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:116W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:19A
类型:MOSFET
导通电阻:145mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT60R145CFD7XTMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:116W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:19A
类型:MOSFET
导通电阻:145mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP165N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:142W
阈值电压:4V@1.6mA
栅极电荷:35nC@10V
输入电容:1.808nF@400V
连续漏极电流:19A
类型:1个N沟道
导通电阻:132mΩ@10V,9.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT60R145CFD7XTMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:116W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:19A
类型:MOSFET
导通电阻:145mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT60R145CFD7XTMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:116W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:19A
类型:MOSFET
导通电阻:145mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP165N65S3H
漏源电压:650V
导通电阻:132mΩ@10V,9.5A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:142W
类型:1个N沟道
连续漏极电流:19A
栅极电荷:35nC@10V
阈值电压:4V@1.6mA
输入电容:1.808nF@400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2000}
包装规格(MPQ):2000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT60R145CFD7XTMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:116W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:19A
类型:MOSFET
导通电阻:145mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: