采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.5V@25μA
栅极电荷：3.9nC@4.5V
输入电容：266pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：56mΩ@10V，3.6A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：31nC@10V
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.2Ω@2.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.5V@25μA
栅极电荷：3.9nC@4.5V
输入电容：266pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：56mΩ@10V，3.6A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.5V@25μA
栅极电荷：3.9nC@4.5V
输入电容：266pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：56mΩ@10V，3.6A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.5V@25μA
栅极电荷：3.9nC@4.5V
输入电容：266pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：56mΩ@10V，3.6A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：born
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BM2300
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：760mV@250μA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
输入电容：340pF@10V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：33pF@10V
导通电阻：60mΩ@4.5V，3.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：2.5V@25μA
类型：1个N沟道
漏源电压：40V
连续漏极电流：3.6A
导通电阻：56mΩ@10V，3.6A
栅极电荷：3.9nC@4.5V
输入电容：266pF@25V
功率：1.3W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：born
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BM2300
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：760mV@250μA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
输入电容：340pF@10V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：33pF@10V
导通电阻：60mΩ@4.5V，3.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：born
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BM2300
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：760mV@250μA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
输入电容：340pF@10V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：33pF@10V
导通电阻：60mΩ@4.5V，3.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：770mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：11.2nC@10V
输入电容：495pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@10V，3.6A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：770mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：11.2nC@10V
输入电容：495pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@10V，3.6A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：78nC@10V
输入电容：1.2nF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.7Ω@2.2A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：31nC@10V
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.2Ω@2.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：770mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：11.2nC@10V
输入电容：495pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@10V，3.6A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：78nC@10V
输入电容：1.2nF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.7Ω@2.2A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：770mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：11.2nC@10V
输入电容：495pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@10V，3.6A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13380F3T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.3V@250μA
栅极电荷：1.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@6V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：76mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13380F3T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.3V@250μA
栅极电荷：1.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@6V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：76mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS4114NT1G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
类型：1个N沟道
输入电容：650pF@15V
栅极电荷：13nC@4.5V
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：3.6A
导通电阻：35mΩ@2A，4.5V
ECCN：EAR99
功率：700mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
