采购热线 400-661-9010
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD35NF06L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：105W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：60nC@10V
输入电容：1.3nF@25V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：20mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH434DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：1.2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：35A
类型：MOSFET
导通电阻：7.6mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：357W
阈值电压：5V@3.5mA
栅极电荷：145nC@10V
输入电容：4.895nF@100V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：110mΩ@10V，17.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH434DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：1.2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：35A
类型：MOSFET
导通电阻：7.6mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH434DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：1.2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：35A
类型：MOSFET
导通电阻：7.6mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：捷捷 微电子 JIEJIE MICROEL ECTRONICS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JMTQ35N06A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：41W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：2.9nF@25V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
反向传输电容：124pF@25V
导通电阻：12mΩ@10V，30A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH434DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：1.2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：35A
类型：MOSFET
导通电阻：7.6mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：捷捷 微电子 JIEJIE MICROEL ECTRONICS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JMTQ35N06A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：41W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：2.9nF@25V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
反向传输电容：124pF@25V
导通电阻：12mΩ@10V，30A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH434DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：1.2V
栅极电荷：40nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：35A
类型：MOSFET
导通电阻：7.6mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：3000psc
规格型号(MPN)：SISH434DN-T1-GE3
包装方式：Reel
漏源电压：40V
栅极电荷：40nC
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
连续漏极电流：35A
导通电阻：7.6mΩ
阈值电压：1.2V
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT6511J
工作温度：-55℃~+150℃
功率：41W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：22.6nC@Vgs=10V
输入电容：1.01nF@Vds=30V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
反向传输电容：9.9pF@Vds=30V
导通电阻：9mΩ@10V，20A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT6511J
工作温度：-55℃~+150℃
功率：41W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：22.6nC@Vgs=10V
输入电容：1.01nF@Vds=30V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
反向传输电容：9.9pF@Vds=30V
导通电阻：9mΩ@10V，20A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT6511G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：41W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：22.6nC@Vgs=10V
输入电容：1.01nF@Vds=30V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
反向传输电容：9.9pF@Vds=30V
导通电阻：9mΩ@10V，20A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH434DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：1.2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：35A
类型：MOSFET
导通电阻：7.6mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH434DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：1.2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：35A
类型：MOSFET
导通电阻：7.6mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT6511G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：41W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：22.6nC@Vgs=10V
输入电容：1.01nF@Vds=30V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
反向传输电容：9.9pF@Vds=30V
导通电阻：9mΩ@10V，20A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：捷捷 微电子 JIEJIE MICROEL ECTRONICS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JMTQ35N06A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：41W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：2.9nF@25V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
反向传输电容：124pF@25V
导通电阻：12mΩ@10V，30A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6035VNX3C16
工作温度：-55℃~+150℃
功率：347W
阈值电压：6V
栅极电荷：50nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：35A
类型：MOSFET
导通电阻：114mΩ
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT6511G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：41W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：22.6nC@Vgs=10V
输入电容：1.01nF@Vds=30V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
反向传输电容：9.9pF@Vds=30V
导通电阻：9mΩ@10V，20A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT6511G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：41W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：22.6nC@Vgs=10V
输入电容：1.01nF@Vds=30V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
反向传输电容：9.9pF@Vds=30V
导通电阻：9mΩ@10V，20A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT6511J
工作温度：-55℃~+150℃
功率：41W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：22.6nC@Vgs=10V
输入电容：1.01nF@Vds=30V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
反向传输电容：9.9pF@Vds=30V
导通电阻：9mΩ@10V，20A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT6511G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：41W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：22.6nC@Vgs=10V
输入电容：1.01nF@Vds=30V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
反向传输电容：9.9pF@Vds=30V
导通电阻：9mΩ@10V，20A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：102nC@10V
输入电容：3.595nF@15V
连续漏极电流：35A
类型：1个P沟道
导通电阻：7.2mΩ@10V，15A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6035VNX3C16
工作温度：-55℃~+150℃
功率：347W
阈值电压：6V
栅极电荷：50nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：35A
类型：MOSFET
导通电阻：114mΩ
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH434DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：1.2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：35A
类型：MOSFET
导通电阻：7.6mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：102nC@10V
输入电容：3.595nF@15V
连续漏极电流：35A
类型：1个P沟道
导通电阻：7.2mΩ@10V，15A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS443DN-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
输入电容：4.37nF@20V
导通电阻：11.7mΩ@10V，15A
阈值电压：2.3V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：35A
功率：3.7W€52W
栅极电荷：135nC@10V
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT6511J
工作温度：-55℃~+150℃
功率：41W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：22.6nC@Vgs=10V
输入电容：1.01nF@Vds=30V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
反向传输电容：9.9pF@Vds=30V
导通电阻：9mΩ@10V，20A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
